$p-n$ जंक्शन डायोड की अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई,जब यह $(i)$ अग्र अभिनत (forward biased) और $(ii)$ पश्च अभिनत (reverse biased) होती है,क्रमशः क्या होती है?

दिए गए परिपथ में दो आदर्श डायोड एक बैटरी से जुड़े हैं। बैटरी द्वारा आपूर्ति की गई धारा ......$A$ है।

डायोड का फॉरवर्ड प्रतिरोध शून्य है और रिवर्स प्रतिरोध अनंत है। जब $2 \ V$ की बैटरी का धनात्मक सिरा $A$ से और ऋणात्मक सिरा $B$ से जोड़ा जाता है,तो परिपथ से कितनी धारा प्रवाहित होगी ($A$ में)?

$p-n$ जंक्शन डायोड में अवक्षय परत (depletion region) की चौड़ाई में वृद्धि का कारण है

यदि $Si$ और $Ge$ डायोड का बैरियर विभव क्रमशः $0.7 \ V$ और $0.3 \ V$ है,जैसा कि परिपथ में दिखाया गया है,तो $V_0$ और $I$ के मान ज्ञात कीजिए। यदि $Ge$ डायोड के कनेक्शन को उलट दिया जाए,तो $V_0$ और $I$ के नए मान क्रमशः ज्ञात कीजिए।

नीचे दिए गए चित्र में दिखाए अनुसार $A$ और $B$ बिंदुओं के बीच एक $2V$ की बैटरी जोड़ी गई है। यह मानते हुए कि प्रत्येक डायोड का प्रतिरोध फॉरवर्ड बायस में शून्य और रिवर्स बायस में अनंत है,जब बैटरी का धनात्मक टर्मिनल $A$ से जुड़ा होता है,तो बैटरी द्वारा आपूर्ति की गई धारा ........$A$ है।