यदि $Si$ और $Ge$ डायोड का बैरियर विभव क्रमशः $0.7 \ V$ और $0.3 \ V$ है,जैसा कि परिपथ में दिखाया गया है,तो $V_0$ और $I$ के मान ज्ञात कीजिए। यदि $Ge$ डायोड के कनेक्शन को उलट दिया जाए,तो $V_0$ और $I$ के नए मान क्रमशः ज्ञात कीजिए।

एक $p-n$ जंक्शन को एक संधारित्र (capacitor) के रूप में मानें,जिसमें $p$ और $n$-पदार्थ पतले धातु इलेक्ट्रोड के रूप में और अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई उनके बीच की दूरी के रूप में कार्य करती है। इसके आधार पर,मान लें कि एक $n-p-n$ ट्रांजिस्टर $CE$ कॉन्फ़िगरेशन में एम्पलीफायर के रूप में काम कर रहा है। यदि $C_1$ और $C_2$ क्रमशः बेस-एमिटर और कलेक्टर-एमिटर जंक्शन कैपेसिटेंस हैं,तो :

अवक्षय परत (depletion layer) का विद्युत प्रतिरोध अधिक होता है क्योंकि

दो समान आदर्श डायोड को एक एमीटर और $1 \ V$ के d.c. स्रोत के साथ चित्रानुसार जोड़ा गया है। निम्नलिखित में से किस परिपथ में एमीटर कोई विक्षेप (deflection) नहीं दिखाएगा?

अनबायस्ड $PN$ जंक्शन के डिप्लीशन ज़ोन (depletion zone) के संबंध में निम्नलिखित में से कौन सा/से कथन सत्य है/हैं?
$(A)$ ज़ोन की चौड़ाई डोपेंट्स (अशुद्धियों) के घनत्व से स्वतंत्र है।
$(B)$ ज़ोन की चौड़ाई डोपेंट्स के घनत्व पर निर्भर करती है।
$(C)$ ज़ोन में विद्युत क्षेत्र आयनित डोपेंट परमाणुओं द्वारा उत्पन्न होता है।
$(D)$ ज़ोन में विद्युत क्षेत्र कंडक्शन बैंड में इलेक्ट्रॉनों और वैलेंस बैंड में होल्स द्वारा प्रदान किया जाता है।

$p-n$ जंक्शन डायोड के रिवर्स बायसिंग में,