$p-n$ जंक्शन डायोड में अवक्षय परत (depletion region) की चौड़ाई में वृद्धि का कारण है

$621 \ nm$ तरंगदैर्ध्य के एकवर्णी प्रकाश में एक फोटॉन की ऊर्जा एक अर्धचालक पदार्थ के बैंड गैप से मेल खाती है। तो अर्धचालक से एक इलेक्ट्रॉन-होल युग्म बनाने के लिए आवश्यक न्यूनतम ऊर्जा है
[लें $hc = 1242 \ eV-nm$,जहाँ $h$ प्लांक नियतांक है और $c$ निर्वात में प्रकाश की गति है] ($eV$ में)

चित्र में एक $P-N$ जंक्शन डायोड की $I-V$ विशेषता दिखाई गई है। जब $1\;V$ का फॉरवर्ड बायस लगाया जाता है,तो $P-N$ जंक्शन का अनुमानित गतिशील प्रतिरोध (dynamic resistance) .......$\Omega$ है।

$P-N$ जंक्शन में,विभव (potential) के संबंध में निम्नलिखित में से कौन सा कथन सही है?

जब एक $p-n$ जंक्शन पर वोल्टेज $V$ लगाया जाता है,तो उससे प्रवाहित धारा $I = I_0 \left( e^{\frac{V}{2 V_T}} - 1 \right)$ द्वारा दी जाती है,जहाँ $I_0$ और $V_T$ स्थिरांक हैं। यदि $r_d(I)$ जंक्शन का डायनेमिक प्रतिरोध है,तो $r_d(1000 I_0) = \alpha r_d(10 I_0)$,जहाँ $\alpha$ लगभग किसके बराबर है?

यदि एक $p-n$ जंक्शन डायोड में,चित्रानुसार $10\, V$ ($+5\, V$ से $-5\, V$ तक बदलने वाला) का एक वर्गाकार इनपुट सिग्नल लगाया जाता है,तो $R_L$ के सिरों पर आउटपुट सिग्नल क्या होगा?