$p-n$ જંકશન ડાયોડમાં ડેપ્લેશન રિજનની પહોળાઈમાં વધારો થવાનું કારણ શું છે?

આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ $A$ અને $B$ બિંદુઓ વચ્ચે $2V$ ની બેટરી જોડવામાં આવી છે. જો દરેક ડાયોડનો ફોરવર્ડ બાયસમાં અવરોધ શૂન્ય અને રિવર્સ બાયસમાં અનંત હોય,તો જ્યારે બેટરીનો ધન ટર્મિનલ $A$ સાથે જોડવામાં આવે ત્યારે બેટરી દ્વારા પૂરો પાડવામાં આવતો પ્રવાહ ........$A$ છે.

સિલિકોન ડાયોડમાં ડેપ્લેશન લેયરની પહોળાઈ $1 \, \mu m$ છે અને ની પોટેન્શિયલ $0.6 \, V$ છે, તો ડેપ્લેશન લેયરમાં વિદ્યુતક્ષેત્ર કેટલું હશે?

જ્યારે $p-n$ જંકશનને ફોરવર્ડ બાયસ આપવામાં આવે છે,ત્યારે પોટેન્શિયલ બેરિયર $(V_B)$ અને ડેપ્લેશન રીજનની પહોળાઈ $(X)$ પર શું અસર થાય છે?

$Ge$ અને $Si$ ડાયોડ અનુક્રમે $0.3\,V$ અને $0.7\,V$ પર વહન કરવાનું શરૂ કરે છે. નીચેની આકૃતિમાં,જો $Ge$ ડાયોડનું જોડાણ ઉલટાવવામાં આવે,તો $V_0$ ના મૂલ્યમાં કેટલો ફેરફાર થશે: ...... $V$ (ધારો કે $Ge$ ડાયોડ પાસે મોટો બ્રેકડાઉન વોલ્ટેજ છે).

આપેલ પરિપથમાં,બેટરીમાંથી વહેતો પ્રવાહ $(I) ..........\,A$ હશે.