$Ge$ અને $Si$ ડાયોડ અનુક્રમે $0.3\,V$ અને $0.7\,V$ પર વહન કરવાનું શરૂ કરે છે. નીચેની આકૃતિમાં,જો $Ge$ ડાયોડનું જોડાણ ઉલટાવવામાં આવે,તો $V_0$ ના મૂલ્યમાં કેટલો ફેરફાર થશે: ...... $V$ (ધારો કે $Ge$ ડાયોડ પાસે મોટો બ્રેકડાઉન વોલ્ટેજ છે).

$p-n$ જંકશન ડાયોડમાં પોટેન્શિયલ બેરિયરનું કારણ શું છે?

આપેલ આકૃતિમાં, જો ડાયોડનો ફોરવર્ડ વોલ્ટેજ ડ્રોપ $0.2 \, V$ હોય, તો $A$ અને $B$ વચ્ચેનો વોલ્ટેજ તફાવત કેટલો હશે ($V$ માં)?

ડાયોડ $D_1$ માટે,ફોરવર્ડ બાયસ અવરોધ $20 \ \Omega$ છે અને રિવર્સ બાયસ અવરોધ $600 \ \Omega$ છે. ડાયોડ $D_2$ માટે,ફોરવર્ડ બાયસ અવરોધ $30 \ \Omega$ છે અને રિવર્સ બાયસ અવરોધ $200 \ \Omega$ છે. જો $(i)$ $A$ ઉચ્ચ પોટેન્શિયલ પર હોય અને $(ii)$ $B$ ઉચ્ચ પોટેન્શિયલ પર હોય,તો $A$ અને $B$ વચ્ચેનો સમતુલ્ય અવરોધ શોધો.

એક $p-n$ જંકશન ડાયોડને $5.5\, V$ ના $emf$ ધરાવતી બેટરી અને $5.1\, k\Omega$ ના બાહ્ય અવરોધ સાથે જોડવામાં આવે છે. ડાયોડમાં બેરિયર પોટેન્શિયલ $0.4\, V$ છે. પરિપથમાં વહેતો પ્રવાહ શોધો.

$p-n$ જંકશનમાં ઉદ્ભવતા વિદ્યુતક્ષેત્રની દિશા દર્શાવો.