ઇલેક્ટ્રોન માઇક્રોસ્કોપ કયા સિદ્ધાંત પર આધારિત છે?

એક $\alpha$-કણ અને પ્રોટોનને $100 \ V$ ના વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવત દ્વારા સ્થિર સ્થિતિમાંથી પ્રવેગિત કરવામાં આવે છે. ત્યારબાદ,તેમની દ-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઇ અનુક્રમે $\lambda_\alpha$ અને $\lambda_{p}$ છે. ગુણોત્તર $\frac{\lambda_{p}}{\lambda_\alpha}$ નું નજીકનું પૂર્ણાંક મૂલ્ય કેટલું થાય?

પ્રોટોન અને ઇલેક્ટ્રોન સાથે સંકળાયેલ ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઇનો ગુણોત્તર $2: 1$ છે. તેમના સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલનો ગુણોત્તર આશરે કેટલો હશે?

ગતિશીલ ઇલેક્ટ્રોનની ડી બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $1 \,nm$ થી ઘટાડીને $0.5 \,nm$ કરવા માટે તેને કેટલી વધારાની ઉર્જા આપવી જોઈએ?

એક ફોટોનની ઊર્જા પ્રોટોનની ગતિઊર્જા જેટલી છે. જો $\lambda_1$ એ પ્રોટોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ હોય,$\lambda_2$ એ ફોટોન સાથે સંકળાયેલી તરંગલંબાઈ હોય અને ફોટોનની ઊર્જા $E$ હોય,તો $(\lambda_1 / \lambda_2)$ એ કોના પ્રમાણમાં છે?

$8 \mu g$ દળનો એક ગતિશીલ કણ $4 \mu g$ દળના સ્થિર કણ સાથે અથડાય છે। જો અથડામણ સંપૂર્ણ સ્થિતિસ્થાપક અને એકપરિમાણીય હોય, તો અથડામણ પછી તેમની દ-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈનો ગુણોત્તર કેટલો હશે ($2 : 1$ માં)?