$PN$-जंक्शन डायोड के फॉरवर्ड और रिवर्स बायस में प्रतिरोधों का अनुमानित अनुपात क्या है?

$p-n$ जंक्शन डायोड में बैरियर विभव (barrier potential) और अवक्षय क्षेत्र (depletion region) की व्याख्या कीजिए।

चित्र में अग्र अभिनति (forward bias) में एक $p-n$ जंक्शन डायोड की $I-V$ विशेषताएँ दिखाई गई हैं। क्रमशः $2 \; V$ और $4 \; V$ के अग्र अभिनति वोल्टेज के अनुरूप गतिशील प्रतिरोध (dynamic resistance) का अनुपात क्या है?

दिखाए गए चित्र में, यदि डायोड का फॉरवर्ड वोल्टेज ड्रॉप $0.2 \, V$ है, तो $A$ और $B$ के बीच वोल्टेज का अंतर क्या है ($V$ में)?

जब एक डायोड फॉरवर्ड बायस में होता है,तो उसका वोल्टेज ड्रॉप $0.5\, V$ होता है। डायोड से गुजरने वाली धारा की सुरक्षित सीमा $10\, mA$ है। यदि परिपथ में $1.5\, V$ emf वाली बैटरी का उपयोग किया जाता है,तो डायोड के साथ श्रेणीक्रम में जोड़े जाने वाले न्यूनतम प्रतिरोध का मान क्या होगा ताकि धारा सुरक्षित सीमा से अधिक न हो? $.....\, \Omega$.

एक फॉरवर्ड बायस्ड $PN$-जंक्शन डायोड में,डिप्लेशन क्षेत्र में विभव प्राचीर (potential barrier) किस रूप में होता है...