एक फॉरवर्ड बायस्ड $PN$-जंक्शन डायोड में,डिप्लेशन क्षेत्र में विभव प्राचीर (potential barrier) किस रूप में होता है...

चित्र में दिखाए अनुसार एक $2 \ V$ की सेल को बिंदुओं $A$ और $B$ के बीच जोड़ा गया है। मान लीजिए कि प्रत्येक डायोड का प्रतिरोध फॉरवर्ड बायस में शून्य और रिवर्स बायस में अनंत है। सेल द्वारा आपूर्ति की गई धारा है ($A$ में)

एक $p-n$ जंक्शन डायोड को $5.7 \ V$ के emf वाली बैटरी के साथ $5 \ k\Omega$ के प्रतिरोधक के श्रेणीक्रम में इस प्रकार जोड़ा जाता है कि यह अग्र अभिनत (forward biased) हो। यदि डायोड का रोधिका विभव (barrier potential) $0.7 \ V$ है,और डायोड के प्रतिरोध को नगण्य माना जाए,तो परिपथ में धारा का मान क्या होगा?

दिए गए परिपथ के लिए $V_{AB} = ......V$ ज्ञात कीजिए।

दो समान $P-N$ जंक्शनों को एक बैटरी के साथ तीन तरीकों से श्रेणीक्रम में जोड़ा गया है,जैसा कि चित्र में दिखाया गया है। किन दो परिपथों में $P-N$ जंक्शनों के सिरों पर विभवांतर समान होगा?

चित्र में दिखाए गए परिपथ में उपयोग किए गए डायोड में सभी धाराओं पर $0.5\; V$ का स्थिर वोल्टेज ड्रॉप है और इसकी अधिकतम पावर रेटिंग $100\; mW$ है। अधिकतम धारा प्राप्त करने के लिए डायोड के साथ श्रेणीक्रम में जुड़े प्रतिरोध $R$ का मान क्या होना चाहिए? ($\Omega$ में)