एक अर्धचालक डायोड में,$P$-सिरे को अर्थ किया गया है और $N$-सिरे को $-2\,V$ के विभव पर रखा गया है,तो डायोड

जब एक $p-n$ जंक्शन पर फॉरवर्ड बायस लगाया जाता है,तो यह . . . . . . ।

$P-N$ जंक्शन डायोड का बैरियर विभव किस पर निर्भर नहीं करता है?

यदि एक $p-n$ जंक्शन फॉरवर्ड बायस में है,तो निम्नलिखित में से कौन सा चित्र अर्धचालक के अंदर धारा की सही दिशा देता है?

एक अर्धचालक (semiconductor) में बैंड गैप $0.6 eV$ है। इस अर्धचालक में होल-इलेक्ट्रॉन युग्म बनाने में सक्षम विद्युत चुम्बकीय विकिरण की अधिकतम तरंगदैर्ध्य कितनी होगी ($nm$ में)? [$hc = 1242 eV-nm$ का उपयोग करें]

नीचे दिखाए गए परिपथ में दो आदर्श डायोड हैं,जिनमें से प्रत्येक का अग्र प्रतिरोध (forward resistance) $50\,\Omega $ है। यदि बैटरी का वोल्टेज $6\,V$ है,तो $100\,\Omega $ के प्रतिरोध से होकर बहने वाली धारा (एम्पीयर में) क्या है?