जब एक $p-n$ जंक्शन पर फॉरवर्ड बायस लगाया जाता है,तो यह . . . . . . ।

एक $p-n$ जंक्शन डायोड फॉरवर्ड बायस में $20 \, mA$ तक की धारा सहन कर सकता है। डायोड के सिरों पर विभवांतर $0.5 \, V$ है, जिसे धारा से स्वतंत्र माना गया है। जब $125 \, \Omega$ का प्रतिरोध इसके साथ श्रेणीक्रम में जोड़ा जाता है, तो डायोड को फॉरवर्ड बायस करने के लिए उपयोग की जाने वाली बैटरी का अधिकतम वोल्टेज क्या होगा ($V$ में)?

दिए गए परिपथ में,यदि डायोड के लिए फॉरवर्ड वोल्टेज ड्रॉप $0.5\, V$ है,तो परिपथ में धारा.....$mA$ होगी।

एक $P-N$ जंक्शन ............ होता है।

चित्र में दिखाए गए अनुसार एक संधारित्र $(20 \mu\text{F})$,एक प्रतिरोधक $(100 \Omega)$ और दो समान डायोड से बने परिपथ पर विचार करें। अग्र अभिनति (forward biasing) स्थिति में प्रत्येक डायोड का प्रतिरोध $10 \Omega$ है। परिपथ का समय नियतांक (time constant) $\alpha \times 10^{-3} \text{ s}$ है। $\alpha$ का मान . . . . . . है।

एक अर्धचालक $(Ge - As)$ का ऊर्जा अंतराल $1.43\, eV$ है। जब ऐसे अर्धचालक में एक होल और एक इलेक्ट्रॉन का पुनर्संयोजन होता है,तो उत्सर्जित अधिकतम तरंगदैर्ध्य $\mathring{A}$ में क्या होगी?