એક સેમિકન્ડક્ટર ડાયોડમાં,$P$-સાઇડને અર્થિંગ કરવામાં આવે છે અને $N$-સાઇડને $-2\,V$ ના પોટેન્શિયલ પર રાખવામાં આવે છે,તો ડાયોડ

નીચેના વિધાનોના સંદર્ભમાં કયું વિધાન સાચું છે? $n$ થી $p$-બાજુ તરફ ઇલેક્ટ્રોનના પ્રસરણ (diffusion) ને કારણે:
$I$. ડેપ્લેશન વિસ્તારમાં ઇલેક્ટ્રોન જમા થાય છે.
$II$. ઇલેક્ટ્રોન ડ્રિફ્ટ પ્રવાહ $p$-બાજુથી $n$-બાજુ તરફ હોય છે.
$III$. $n$-વિસ્તારમાં આયનીકૃત ડોનર બાકી રહે છે.
$IV$. $n$-બાજુના ઇલેક્ટ્રોન $p$-બાજુ પર આવે છે અને $p$-બાજુમાં ઇલેક્ટ્રોન-હોલનું સંયોજન થાય છે.
નીચેનામાંથી સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો.

ફોરવર્ડ બાયસ (Forward Bias) અને રિવર્સ બાયસ (Reverse Bias) એટલે શું?

આપેલ પરિપથમાં,બેટરીમાંથી વહેતો પ્રવાહ $(I) ..........\,A$ હશે.

ધારો કે જંકશન ડાયોડ આદર્શ છે, તો આકૃતિમાં દર્શાવેલ ગોઠવણીમાં પ્રવાહ શોધો। ($\text{mA}$ માં)

જ્યારે $p-n$ જંકશન ડાયોડને રિવર્સ બાયસ આપવામાં આવે છે,ત્યારે પોટેન્શિયલ બેરિયર પર શું અસર થાય છે?