एक अर्धचालक (semiconductor) में बैंड गैप 0.6 | vedclass

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Question

(C) अर्धचालक में इलेक्ट्रॉन-होल युग्म बनाने के लिए आवश्यक फोटॉन की ऊर्जा कम से कम बैंड गैप ऊर्जा $(E_g)$ के बराबर होनी चाहिए।$E_g = 0.6 eV$हम जानते है

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$2070$

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(C) अर्धचालक में इलेक्ट्रॉन-होल युग्म बनाने के लिए आवश्यक फोटॉन की ऊर्जा कम से कम बैंड गैप ऊर्जा $(E_g)$ के बराबर होनी चाहिए।$E_g = 0.6 eV$हम जानते हैं कि फोटॉन की ऊर्जा $E = \frac{hc}{\lambda}$ द्वारा दी जाती है।अधिकतम तरंगदैर्ध्य $(\lambda_{max})$ ज्ञात करने के लिए,हम फोटॉन की ऊर्जा को बैंड गैप ऊर्जा के बराबर रखते हैं:$E_g = \frac{hc}{\lambda_{max}}$$\lambda_{max} = \frac{hc}{E_g}$दिया गया है कि $hc = 1242 eV-nm$ और $E_g = 0.6 eV$:$\lambda_{max} = \frac{1242}{0.6} nm = 2070 nm$यदि तरंगदैर्ध्य $2070 nm$ से अधिक है,तो फोटॉन की ऊर्जा $0.6 eV$ से कम होगी,जो इलेक्ट्रॉन को वैलेंस बैंड से कंडक्शन बैंड में उत्तेजित करने के लिए अपर्याप्त है। इसलिए,$2070 nm$ अधिकतम तरंगदैर्ध्य है।

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