જો સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર અડધું કરવામાં આવે અને ડાયઇલેક્ટ્રિકનું ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક બમણું કરવામાં આવે,તો તેની કેપેસિટી (કેપેસિટન્સ) કેટલી થશે?

એક કેપેસિટરને $V$ વોલ્ટેજની બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. જો પ્લેટોની વચ્ચે $k$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ સંપૂર્ણપણે દાખલ કરવામાં આવે,તો કેપેસિટર પરનો અંતિમ વિદ્યુતભાર કેટલો હશે? (ધારો કે પ્રારંભિક વિદ્યુતભાર $q_{0}$ છે)

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $2.5 \mu F$ છે. જ્યારે તેને આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ ડાયઇલેક્ટ્રિકથી અડધું ભરવામાં આવે છે,ત્યારે તેનું કેપેસિટન્સ $5 \mu F$ થઈ જાય છે. ડાયઇલેક્ટ્રિકનો ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક કેટલો હશે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની કેપેસીટન્સ $80 \times 10^{-6} \,F$ છે, જ્યારે પ્લેટો વચ્ચે હવા હોય છે. પ્લેટો વચ્ચેના કદને $20$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાયલેક્ટ્રિક સ્લેબ વડે સંપૂર્ણપણે ભરવામાં આવે છે. હવે કેપેસિટરને વાયર દ્વારા $30 \,V$ ની બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. ત્યારબાદ ડાયલેક્ટ્રિક સ્લેબ દૂર કરવામાં આવે છે. તો, હવે વાયરમાંથી પસાર થતો વિદ્યુતભાર કેટલો હશે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરમાં પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $3x$ છે. આ અંતર બે ડાયઇલેક્ટ્રિકના સ્તરો દ્વારા ભરવામાં આવે છે,જેમાં એક સ્તરની જાડાઈ $x$ અને ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક $3k$ છે,અને બીજા સ્તરની જાડાઈ $2x$ અને ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક $5k$ છે. જો કેપેસિટરની પ્લેટોને બેટરી સાથે જોડવામાં આવે,તો ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્તરો વચ્ચેના વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવતનો ગુણોત્તર કેટલો થાય?

$C$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ એર કેપેસિટરને $V$ emf ધરાવતા સેલ સાથે જોડવામાં આવે છે અને ત્યારબાદ તેને દૂર કરવામાં આવે છે. હવે તેમાં $K$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે છે,જે કેપેસિટરની હવાના ગાળાને સંપૂર્ણપણે ભરી શકે છે. નીચેનામાંથી કયું વિધાન ખોટું છે?