જો ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $60\%$ ઘટાડવામાં આવે,તો $K_{max}$ $5\,eV$ થી બદલાઈને $17\,eV$ થાય છે. ધાતુનું વર્ક ફંક્શન ............. $eV$ છે.

જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતું વિકિરણ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $4.8 \ V$ છે. જો તે જ સપાટીને બમણી તરંગલંબાઈ ધરાવતા વિકિરણ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $1.6 \ V$ થાય છે. તો સપાટી માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલી હશે?

$Zn$ નું કાર્ય વિધેય $4.25 \ eV$ છે. તો થ્રેસોલ્ડ આવૃત્તિ કયા વિદ્યુતચુંબકીય વર્ણપટના વિસ્તારમાં હોય છે?

જ્યારે ઇલેક્ટ્રોન $n=3$ થી $n=2$ માં સંક્રમણ કરે ત્યારે ઉત્સર્જિત પ્રકાશ એક ધાતુ પર આપાત થાય છે, ત્યારે તે ધાતુમાંથી ફોટોઇલેક્ટ્રોન માંડ ઉત્સર્જિત થાય છે. નીચેનામાંથી કયા સંક્રમણ માટે ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસર શક્ય નથી?

ટંગસ્ટન પર સિઝિયમની બનેલી ફોટો સંવેદી સપાટીને નિયોન બલ્બમાંથી $640.2 \ nm$ $(1 \ nm = 10^{-9} \ m)$ તરંગલંબાઈના એકવર્ણી વિકિરણ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. માપવામાં આવેલ સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $0.54 \ V$ છે. જો આ સ્ત્રોતને બદલીને સમાન ફોટોસેલ પર $427.2 \ nm$ ની રેખા વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે,તો નવું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ કેટલા $V$ હશે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક પદાર્થની સપાટી પર પડતા પ્રકાશના કિરણની આવૃત્તિ અને તીવ્રતા બંનેમાં બે ગણો વધારો કરવામાં આવે છે. આનાથી શું થશે?