જ્યારે ઇલેક્ટ્રોન $n=3$ થી $n=2$ માં સંક્રમણ કરે ત્યારે ઉત્સર્જિત પ્રકાશ એક ધાતુ પર આપાત થાય છે, ત્યારે તે ધાતુમાંથી ફોટોઇલેક્ટ્રોન માંડ ઉત્સર્જિત થાય છે. નીચેનામાંથી કયા સંક્રમણ માટે ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસર શક્ય નથી?

એક ધાતુની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ $f_0$ છે. જ્યારે $2f_0$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ ધાતુની પ્લેટ પર આપાત થાય છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $v_1$ છે. જ્યારે આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ વધારીને $5f_0$ કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $v_2$ છે. $v_1$ અને $v_2$ નો ગુણોત્તર કેટલો થાય?

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં $310 \,nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ વપરાય છે. પ્રયોગમાં $2.5 \,eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતા ધાતુના ઈલેક્ટ્રોડનો ઉપયોગ કરવામાં આવે છે. ફોટોઈલેક્ટ્રોન માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ કેટલું હશે ($V$ માં)? (ધારો કે $hc = 1240 \,eV-nm$)

આકૃતિ સીઝિયમ,પોટેશિયમ,સોડિયમ અને લિથિયમની પ્રકાશસંવેદનશીલ સપાટીઓ માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_0)$ અને આવૃત્તિ $(\nu)$ વચ્ચેના વિવિધ આલેખ દર્શાવે છે. આ આલેખ સમાંતર છે. તેમના વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) મુજબ લક્ષ્યોનો સાચો ક્રમ,સૌથી વધુથી શરૂ કરીને,કયો હશે?

$9 \ eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુમાં ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર શરૂ કરી શકે તેવી પ્રકાશની સૌથી લાંબી તરંગલંબાઈ કેટલી છે?

એક ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) $1.6 \times 10^{-19} \, J$ છે. જ્યારે ધાતુની સપાટી પર $6400 \, \mathring{A}$ તરંગલંબાઇનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે? (પ્લાન્કનો અચળાંક $h = 6.4 \times 10^{-34} \, Js$)