જો એક ઇલેક્ટ્રોન સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં પ્લેટો સાથે $\alpha$ ખૂણે પ્રવેશ કરે છે અને પ્લેટો સાથે $\beta$ ખૂણે બહાર નીકળે છે,તો કેપેસિટરમાં પ્રવેશતી વખતે તેની ગતિઊર્જા અને બહાર નીકળતી વખતે તેની ગતિઊર્જાનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

$Q$ વીજભાર અને $M$ દળ ધરાવતો એક કણ $B$ તીવ્રતા ધરાવતા સમાન ચુંબકીય ક્ષેત્રમાં $R$ ત્રિજ્યાના વર્તુળાકાર માર્ગે ગતિ કરે છે। હવે આ જ કણ તેટલી જ ઝડપથી નળાકાર કેપેસિટરના નળાકાર ઇલેક્ટ્રોડ્સ વચ્ચેની જગ્યામાં $R$ ત્રિજ્યાના વર્તુળાકાર માર્ગે ગતિ કરે છે। અંદરના ઇલેક્ટ્રોડની ત્રિજ્યા $R/2$ છે અને બહારના ઇલેક્ટ્રોડની ત્રિજ્યા $3R/2$ છે। તો કેપેસિટરના ઇલેક્ટ્રોડ્સ વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત કેટલો હશે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને ચાર્જ કરવામાં આવે છે અને પછી તેને સ્થિર $E.M.F.$ ના સ્ત્રોતથી અલગ કરવામાં આવે છે. ત્યારબાદ પ્લેટોને એકબીજાથી દૂર ખેંચવામાં આવે છે. ફરીથી તેને તે જ સ્ત્રોત સાથે જોડવામાં આવે છે. તો:

આપેલ પરિપથમાં કેપેસિટર પરનો વિદ્યુતભાર શોધો ................ $\mu C$.

આપેલ પરિપથ માટે $\frac{C_{DE}}{C_{AB}}$ ગુણોત્તર શોધો.

જ્યારે બે સમાન કેપેસિટરોને અલગ-અલગ પોટેન્શિયલ પર ચાર્જ કરવામાં આવે છે અને પછી સોર્સથી ડિસ્કનેક્ટ કરીને સમાંતર જોડવામાં આવે છે,ત્યારે . . . . . .