જો $4 \times 10^{-3} \ m$ જાડાઈ ધરાવતી અવાહક પદાર્થની પ્લેટને સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે મૂકવામાં આવે,તો કેપેસીટન્સને મૂળ મૂલ્ય પર લાવવા માટે પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $3.5 \times 10^{-3} \ m$ જેટલું વધારવું પડે છે. તો આ પદાર્થનો ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક કેટલો હશે?

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $0.05\, m$ છે. પ્લેટોની વચ્ચે $3 \times 10^4\, V/m$ મૂલ્યનું વિદ્યુતક્ષેત્ર સ્થાપિત કરવામાં આવે છે. કેપેસિટરને બેટરીથી અલગ કરવામાં આવે છે અને $0.01\, m$ જાડાઈની ધાતુની અવિદ્યુતભારિત પ્લેટ દાખલ કરવામાં આવે છે. જો ધાતુની પ્લેટને બદલે $K = 2$ ડાઈ-ઈલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી પ્લેટ મૂકવામાં આવે,તો સ્થિતિમાન તફાવત કેટલા $kV$ હશે?

$L$ બાજુવાળી ચોરસ પ્લેટો ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ $K_1, K_2, K_3, K_4$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ચાર ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થોથી ભરવામાં આવે છે. અસરકારક ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક $K$ કેટલો થશે?

જ્યારે કેપેસિટર બેટરી સાથે જોડાયેલું રહે અને પ્લેટોની વચ્ચે ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે,ત્યારે:

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $C$ છે,જ્યારે તેની પ્લેટો વચ્ચે શૂન્યાવકાશ હોય છે. જો પ્લેટો વચ્ચે $t = d/3$ જાડાઈની (જ્યાં $d$ એ પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર છે) અને સાપેક્ષ પરમિટિવિટી $K$ ધરાવતી એક ડાયલેક્ટ્રિક શીટ મૂકવામાં આવે,તો તંત્રનું નવું કેપેસિટન્સ કેટલું થશે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર $C$ જેની પ્લેટોનું ક્ષેત્રફળ એકમ છે અને તેમની વચ્ચેનું અંતર $d$ છે,તે $K=2$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા પ્રવાહીથી ભરેલું છે. પ્રવાહીનું પ્રારંભિક સ્તર $\frac{d}{3}$ છે. ધારો કે પ્રવાહીનું સ્તર $V$ જેટલી અચળ ઝડપે ઘટે છે. સમય $t$ ના વિધેય તરીકે ટાઇમ કોન્સ્ટન્ટ $\tau$ શોધો.