સમાન વિધુતક્ષેત્રમાં અધુવીય અણુનું ધ્રુવીભવન સમજાવો અને રેખીય સમદિગ્ધર્મી ડાઇઇલેક્ટ્રિકની વ્યાખ્યા લખો.
સમાન વિધુતક્ષેત્રમાં અધુવીય અણુનું ધ્રુવીભવન સમજાવો અને રેખીય સમદિગ્ધર્મી ડાઇઇલેક્ટ્રિકની વ્યાખ્યા લખો.
આકૃતિમાં દર્શાવ્યા પ્રમાણે બાહ્ય વિદ્યુતક્ષેત્રમાં અધ્રુવીય અણુઓના ધન અને ઋણ વિદ્યુતભારો પરસ્પર વિરુદ્ધ દિશામાં સ્થાનાંતર પામે છે.
જ્યારે અણુંઓના ધટક વિદ્યુતભારો પરનું બાહ્ય બળ, પુન:સ્થાપક બળ (જે અણુની અંદરના આંતરિક ક્ષેત્રને લીધે લાગતાં) વડે સંતુલિત થાય છે ત્યારે સ્થાનાંતર અટકી જાય છે.
આમ, અધ્રુવીય અણુઓમાં પ્રેરિત ડાઈપોલ ચાકમાત્રા ઉદભવે છે જેને બાહ્ય ક્ષેત્ર વડે ડાઇઇલેક્ટ્રિક ધ્રુવીભૂત થયો કહેવાય.
રેખીય સમદિગ્ધર્મી ડાઇઈલેક્ટ્રિક : "બાહ્ય ક્ષેત્રમાં મૂકેલાં અધ્રુવીય અણુંમાં જ્યારે પ્રેરિત ડાઈપોલ ચાકમાત્રા વિદ્યુતક્ષેત્રની દિશામાં હોય અને ક્ષેત્રની તીવ્રતાના સમપ્રમાણમાં હોય તો તેને રેખીય સમદિગ્ધર્મી ડાઈઇલેક્ટ્રિક કહે છે."
બાહ્ય ક્ષેત્રની હાજરીમાં જુદા જુદા અણુઓની ડાઈપોલ ચાકમાત્રાઓનો સરવાળો કરવાથી ડાઈઈલેક્ટ્રિકની ચોખ્ખી $(Net)$ ડાઈપોલ ચાકમાત્રા મળે છે.
Similar Questions
સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરના કેપેસિટન્સ પર ડાઇઇલેક્ટ્રિકની અસર સમજાવો અને ડાઇઇલેક્ટ્રિક અચળાંકનું સૂત્ર લખો.
સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરના કેપેસિટન્સ પર ડાઇઇલેક્ટ્રિકની અસર સમજાવો અને ડાઇઇલેક્ટ્રિક અચળાંકનું સૂત્ર લખો.
આકૃતિમાં $A$ દર્શાવ્યા મુજબ એક કેપેસીટર ડાઈઈલેક્ટ્રીક ($K=2$) વડે અડધો ભરાયેલ છે. જો આકૃતિનાં બીજા ભાગ $B$ પ્રમાણે તે અડધો ભરાયેલ હોય તો ડાઈઈલેક્ટ્રીકની એવી જાડાઈ શોધો કે જેનાથી કેપેસીટરની ક્ષમતા એટલી જ રહે?
આકૃતિમાં $A$ દર્શાવ્યા મુજબ એક કેપેસીટર ડાઈઈલેક્ટ્રીક ($K=2$) વડે અડધો ભરાયેલ છે. જો આકૃતિનાં બીજા ભાગ $B$ પ્રમાણે તે અડધો ભરાયેલ હોય તો ડાઈઈલેક્ટ્રીકની એવી જાડાઈ શોધો કે જેનાથી કેપેસીટરની ક્ષમતા એટલી જ રહે?
એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરની બે પ્લેટો વચ્ચે હવાનું માધ્યમ હોય ત્યારે કેપેસિટન્સ $9\;pF$ છે. બંને પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. હવે આ બંને પ્લેટ વસ્ચે બે ડાઈઈલેક્ટ્રીક દ્રવ્યો ભરવામાં આવે છે. એક ડાઈઇલેક્ટ્રીક દ્રવ્યોનો ડાઈઈલેક્ટ્રીક અચળાંક $k_{1}=3$ અને અંતર $\frac{ d }{3}$ છે. જ્યારે બીજા દ્રવ્યોનો ડાઈઈલેક્ટ્રીક અચળાંક $k _{2}=6$ અને અંતર $\frac{2 d }{3}$ છે. તો આ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ ($pF$ માં) હવે કેટલું થશે ?
એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરની બે પ્લેટો વચ્ચે હવાનું માધ્યમ હોય ત્યારે કેપેસિટન્સ $9\;pF$ છે. બંને પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. હવે આ બંને પ્લેટ વસ્ચે બે ડાઈઈલેક્ટ્રીક દ્રવ્યો ભરવામાં આવે છે. એક ડાઈઇલેક્ટ્રીક દ્રવ્યોનો ડાઈઈલેક્ટ્રીક અચળાંક $k_{1}=3$ અને અંતર $\frac{ d }{3}$ છે. જ્યારે બીજા દ્રવ્યોનો ડાઈઈલેક્ટ્રીક અચળાંક $k _{2}=6$ અને અંતર $\frac{2 d }{3}$ છે. તો આ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ ($pF$ માં) હવે કેટલું થશે ?
- [AIEEE 2008]
$C$ કેપેસિટન્સવાળા હવાના સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને $ V. emf $ વાળી બેટરી સાથે જોડીને પછી છૂટું પાડવામાં આવે છે.$K $ ડાઇઇલેકિટ્રક અચળાંકવાળા ડાઇઇલેકિટ્રક સ્લેબને સંપૂર્ણ રીતે કેપેસિટરમાં ભરવામાં આવે છે.તો નીચેનામાંથી કયું વિધાન ખોટું છે?
$C$ કેપેસિટન્સવાળા હવાના સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને $ V. emf $ વાળી બેટરી સાથે જોડીને પછી છૂટું પાડવામાં આવે છે.$K $ ડાઇઇલેકિટ્રક અચળાંકવાળા ડાઇઇલેકિટ્રક સ્લેબને સંપૂર્ણ રીતે કેપેસિટરમાં ભરવામાં આવે છે.તો નીચેનામાંથી કયું વિધાન ખોટું છે?
- [AIPMT 2015]
પારના $64$ સૂક્ષ્મ ટીપાંઓ કે જે દરેકની ત્રિજ્યા $'r'$ અને વિદ્યુતભાર $q$ ભેગા મળીને એક અને મોટા મોટું ટીપું બનાવે છે. દરેક સૂક્ષ્મ ટીપાના વિદ્યુતભારની પૃષ્ઠ ઘનતાનો ગુણોત્તર ........ છે.
પારના $64$ સૂક્ષ્મ ટીપાંઓ કે જે દરેકની ત્રિજ્યા $'r'$ અને વિદ્યુતભાર $q$ ભેગા મળીને એક અને મોટા મોટું ટીપું બનાવે છે. દરેક સૂક્ષ્મ ટીપાના વિદ્યુતભારની પૃષ્ઠ ઘનતાનો ગુણોત્તર ........ છે.