$10\,\mu F$ ના સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને ધ્યાનમાં લો,જેમાં પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં હવા ભરેલી છે. હવે,આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યાનો અડધો ભાગ $K = 4$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાયલેક્ટ્રિક પદાર્થથી ભરવામાં આવે છે. તો કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ બદલાઈને .......$\mu F$ થાય છે.

જો કેપેસિટરની સમાંતર પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર અડધું કરવામાં આવે અને ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક બમણો કરવામાં આવે,તો કેપેસીટન્સ:

હવામાં રહેલા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની કેપેસિટન્સ $2 \ pF$ છે. જો પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર બમણું કરવામાં આવે અને પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થ ભરવામાં આવે,તો કેપેસિટન્સ વધીને $6 \ pF$ થાય છે. તો તે પદાર્થનો ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક કેટલો હશે?

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. પ્લેટના ક્ષેત્રફળ જેટલું જ ક્ષેત્રફળ ધરાવતી અને $d/2$ જાડાઈની ધાતુની પ્લેટને કેપેસિટરની પ્લેટોને અડકે નહીં તે રીતે તેમની વચ્ચે મૂકવામાં આવે છે. તો પરિણામી કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ કેટલું થશે?

બે સમાન કેપેસિટર $A$ અને $B$ ને $E$ જેટલા $E$.$M$.$F$. ધરાવતી બેટરી સાથે શ્રેણીમાં જોડવામાં આવ્યા છે. કેપેસિટર $B$ માં $K$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી સ્લેબ છે. $Q_A$ અને $Q_B$ એ $A$ અને $B$ માં સંગ્રહિત વિદ્યુતભારો છે. જ્યારે ડાયલેક્ટ્રિક સ્લેબ દૂર કરવામાં આવે છે,ત્યારે અનુરૂપ વિદ્યુતભારો $Q_A^{\prime}$ અને $Q_B^{\prime}$ થાય છે. તો:

એક કેપેસિટરને આકૃતિ $A$ માં દર્શાવ્યા મુજબ ડાયઇલેક્ટ્રિક $(K=2)$ વડે અડધું ભરવામાં આવે છે. જો તે જ કેપેસિટરને આકૃતિ $B$ માં દર્શાવ્યા મુજબ તે જ ડાયઇલેક્ટ્રિક વડે ભરવાનું હોય, તો ડાયઇલેક્ટ્રિકની જાડાઈ $t$ કેટલી હોવી જોઈએ જેથી કેપેસિટરની કેપેસીટન્સ સમાન રહે?