$P-N$ જંકશન ડાયોડનો બેરિયર પોટેન્શિયલ શેના પર આધાર રાખતો નથી?

આપેલ પરિપથમાં, બેટરીમાંથી વહેતો પ્રવાહ ...... $A$ છે.

ફોરવર્ડ બાયસમાં $\text{P-N}$ જંકશનની $\text{I-V}$ લાક્ષણિકતા દર્શાવેલ છે. જંકશનનો આશરે ફોરવર્ડ અવરોધ કેટલો છે $-$ ($Omega$ માં)

નીચે આપેલા ડાયોડ સર્કિટ $X$ અને $Y$ માં વહેતા પ્રવાહના મૂલ્યો અનુક્રમે કેટલા છે? (ધારો કે ડાયોડ આદર્શ છે)

સેમિકન્ડક્ટર જર્મેનિયમ ક્રિસ્ટલ $A$ અને $B$ ની બે બાજુઓને અનુક્રમે આર્સેનિક અને ઇન્ડિયમ સાથે ડોપ કરવામાં આવી છે. તેમને આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ બેટરી સાથે જોડવામાં આવ્યા છે. આ ગોઠવણ માટે પ્રવાહ અને વોલ્ટેજ વચ્ચેનો સાચો આલેખ કયો છે?

આકૃતિમાં એક $Si$ ડાયોડ અને એક $Ge$ ડાયોડ શ્રેણીમાં જોડેલા છે. બંને ડાયોડને ફૉરવર્ડ બાયસમાં લાવવા માટે બિંદુ $A$ પર કેટલું વિદ્યુતસ્થિતિમાન હોવું જોઈએ?