આકૃતિમાં એક $Si$ ડાયોડ અને એક $Ge$ ડાયોડ શ્રેણીમાં જોડેલા છે. બંને ડાયોડને ફૉરવર્ડ બાયસમાં લાવવા માટે બિંદુ $A$ પર કેટલું વિદ્યુતસ્થિતિમાન હોવું જોઈએ?

  • A
    $0 \ V$
  • B
    $-2 \ V$
  • C
    $+0.7 \ V$
  • D
    $+0.3 \ V$

Explore More

Similar Questions

$P-N$ જંકશન પર $0.50 \ V$ નો પોટેન્શિયલ બેરિયર અસ્તિત્વ ધરાવે છે. જો ડેપ્લેશન રિજનની પહોળાઈ $5.0 \times 10^{-7} \ m$ હોય,તો આ વિસ્તારમાં વિદ્યુતક્ષેત્રની તીવ્રતા કેટલી હશે?

આકૃતિમાં દર્શાવેલ $P-N$ જંકશન ડાયોડ માટે કયો વિકલ્પ યોગ્ય છે?

$p-n$ જંકશન ડાયોડ કેવી રીતે બને છે? ડિપ્લેશન લેયર અને બેરિયર પોટેન્શિયલ સમજાવો.

આકૃતિમાં $p-n$ જંકશન ડાયોડનો $I-V$ લાક્ષણિકતા આલેખ દર્શાવેલ છે. જ્યારે $1 \text{ V}$ નો ફોરવર્ડ બાયસ લાગુ કરવામાં આવે ત્યારે $p-n$ જંકશનનો આશરે ડાયનેમિક અવરોધ શોધો. ($Omega$ માં)

અનબાયસ્ડ $P-N$ જંકશનમાં,હોલ્સ $p-$ વિસ્તારમાંથી $n-$ વિસ્તારમાં પ્રસરણ પામે છે કારણ કે

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo