(N/A) આકૃતિ $(a)$ માં,ક્ષેત્ર ઉપરની તરફ છે,તેથી ઋણ વીજભારિત ઇલેક્ટ્રોન $eE$ મૂલ્યનું નીચેની તરફ બળ અનુભવે છે,જ્યાં $E$ એ વિદ્યુતક્ષેત્રનું મૂલ્ય છે. ઇલેક્ટ્રોનનો પ્રવેગ $a_{e} = eE / m_{e}$ છે,જ્યાં $m_{e}$ એ ઇલેક્ટ્રોનનું દળ છે.
સ્થિર સ્થિતિમાંથી શરૂ કરીને,ઇલેક્ટ્રોન દ્વારા $h$ અંતર કાપવા માટે જરૂરી સમય $t_{e} = \sqrt{\frac{2h}{a_{e}}} = \sqrt{\frac{2hm_{e}}{eE}}$ દ્વારા આપવામાં આવે છે.
$e = 1.6 \times 10^{-19} \; C$,$m_{e} = 9.11 \times 10^{-31} \; kg$,$E = 2.0 \times 10^{4} \; N C^{-1}$,અને $h = 1.5 \times 10^{-2} \; m$ માટે,આપણને $t_{e} \approx 2.9 \times 10^{-9} \; s$ મળે છે.
આકૃતિ $(b)$ માં,ક્ષેત્ર નીચેની તરફ છે,અને ધન વીજભારિત પ્રોટોન $eE$ મૂલ્યનું નીચેની તરફ બળ અનુભવે છે. પ્રોટોનનો પ્રવેગ $a_{p} = eE / m_{p}$ છે,જ્યાં $m_{p} = 1.67 \times 10^{-27} \; kg$ એ પ્રોટોનનું દળ છે.
પ્રોટોન માટે પતનનો સમય $t_{p} = \sqrt{\frac{2h}{a_{p}}} = \sqrt{\frac{2hm_{p}}{eE}} \approx 1.3 \times 10^{-7} \; s$ છે.
આમ,ભારે કણ (પ્રોટોન) સમાન અંતર કાપવા માટે વધુ સમય લે છે. આ 'ગુરુત્વાકર્ષણ હેઠળ મુક્ત પતન' ની પરિસ્થિતિથી મૂળભૂત રીતે વિપરીત છે જ્યાં પતનનો સમય પદાર્થના દળથી સ્વતંત્ર હોય છે. નોંધો કે આ ઉદાહરણમાં આપણે ગુરુત્વાકર્ષણના કારણે પ્રવેગને અવગણ્યો છે. પ્રોટોનનો પ્રવેગ $a_{p} = \frac{eE}{m_{p}} = \frac{(1.6 \times 10^{-19} \; C) \times (2.0 \times 10^{4} \; N C^{-1})}{1.67 \times 10^{-27} \; kg} \approx 1.9 \times 10^{12} \; m s^{-2}$ છે,જે $g = 9.8 \; m s^{-2}$ ની સરખામણીમાં ખૂબ જ વધારે છે. તેથી,ગુરુત્વાકર્ષણની અસરને અવગણી શકાય છે.