$C=10\,\mu F$  કેપેસિટરને $12\,V$ બેટરી સાથે જોડેલ છે.હવે કેપેસિટરને ડાઇઇલેકિટ્રક અચળાંક $5$ થી ભરતાં બેટરીમાંથી કેટલો વિદ્યુતભાર કેપેસિટર પર જશે?

હવા માધ્યમ ધરાવતા એક સમાંતર બાજુ કેપેસીટરનો કેપેસીટન્સ $6\, \mu F$. છે એક ડાયઈલેક્ટ્રિક માધ્યમ ઉમેરતા આ કેપેસીટન્સ $30\, \mu F$ થાય છે આ માધ્યમની પરમિટિવિટી .......... $C ^{2} N ^{-1} m ^{-2}$ થાય 

$\left(\varepsilon_{0}=8.85 \times 10^{-12} C ^{2} N ^{-1} m ^{-2}\right)$

$4\,cm$ જેટલી પ્લેટોની પહોળાઈ, લંબાઈ $8\,mm$, અને બે પ્લેટો વરચેનું અંતર $4\,mm$ હોય તેવા સમાંતર પ્લેટ સંઘારકને $20\,V$ ની બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. $5$ જેટલો ડાયઈલેક્ટિક્ર અચળાંક ધરાવતો અને $1\,cm$ લંબાઈ, $4\,cm$ પહોળાઈ અને $4\,mm$ જાડાઈ ધરાવતા ડાયઈલેક્ટ્રિક માધ્યમને સંઘારકની પ્લેટોની વરચે દાખલ કરવામાં આવે છે. આ તંત્ર માટે સ્થિત વિદ્યુત ઊર્જા $........\varepsilon_0 J$ થશે.(જ્યાં $\varepsilon_0$ શુન્યાવકાશની પરમીટીવીટી છે)

ડાયઈલેક્ટ્રીક અચળાંક $3$ અને ડાયઈલેક્ટ્રીક સ્ટ્રેન્થ લગભગ $10 \,V \,m$ ધરાવતા દ્રવ્યની મદદથી $1 \,k\,V$ રેટીંગ ધરાવતા એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરની રચના કરવાની છે. [ડાયઇલેક્ટ્રીક સ્ટ્રેન્થ એ દ્રવ્ય દ્વારા બ્રેકડાઉન પામ્યા વિના (આંશિક આયનીકરણ દ્વારા વિદ્યુતનું વહન શરૂ થયા વિના) સહન કરી શકાતું મહત્તમ વિદ્યુતક્ષેત્ર છે.] સલામતી માટે ડાયઇલેક્ટ્રીક સ્ટ્રેન્થના $10 \%$ કરતાં ક્ષેત્ર કદી વધે નહિ તે ઇચ્છનીય છે. $50 \,pF$ નું કેપેસીટન્સ મેળવવા માટે પ્લેટોનું લઘુત્તમ ક્ષેત્રફળ કેટલું હોવું જરૂરી છે?

સમાન વિધુતક્ષેત્રમાં ઘુવીય અણુનું ધ્રુવીભવન સમજાવો.

શુદ્ધ પાણીનો ડાય ઈલેકટ્રીક અચળાંક $81$ છે. તે પરમિટિવિટી ........ હશે.