એક $LED$ (Light Emitting Diode) એ $Ga-As-P$ સેમિકન્ડક્ટર મટિરિયલના $p-n$ જંકશનથી બનેલું છે,જેનો એનર્જી ગેપ $1.9\, eV$ છે. ઉત્સર્જિત પ્રકાશની તરંગલંબાઇ કેટલી હશે?

એક એવી પરિસ્થિતિનો વિચાર કરો જેમાં કોઈ ચોક્કસ $P-N$ જંકશનનો રિવર્સ બાયસ પ્રવાહ વધે છે જ્યારે તેને $\lambda \le 621 \, nm$ તરંગલંબાઇના પ્રકાશમાં રાખવામાં આવે છે. આ પ્રક્રિયા દરમિયાન,હોલ-ઇલેક્ટ્રોન જોડીઓના નિર્માણને કારણે કેરિયર સાંદ્રતામાં વધારો થાય છે. બેન્ડ ગેપનું મૂલ્ય આશરે કેટલું હશે? ($eV$ માં)

ફોટોડાયોડ્સ મોટે ભાગે રિવર્સ બાયસ સ્થિતિમાં કાર્યરત હોય છે કારણ કે

જો $LED$ બનાવવા માટે વપરાતા સેમિકન્ડક્ટરનો એનર્જી ગેપ આશરે $1.9 \ eV$ હોય,તો $LED$ દ્વારા ઉત્સર્જિત પ્રકાશનો રંગ કયો હશે?

સૌર ઊર્જા પર કામ કરતા ઉપકરણોને ઓળખો.
$(a)$ ફોટોડાયોડ
$(b)$ ફોટોવોલ્ટેઇક સેલ
$(c)$ $LED$
$(d)$ ફોટો-થર્મલ ઉપકરણો

એક લાઈટ એમિટિંગ ડાયોડ $(LED)$ માં $2\,V$ નો વોલ્ટેજ ડ્રોપ થાય છે અને જ્યારે તે $6\,V$ ની બેટરી સાથે લિમિટિંગ રઝિસ્ટર $R$ દ્વારા કાર્ય કરે છે ત્યારે તેમાંથી $10\,mA$ નો પ્રવાહ પસાર થાય છે. $R$ નું મૂલ્ય ......... $k\,\Omega$ છે.