સૌર ઊર્જા પર કામ કરતા ઉપકરણોને ઓળખો.
$(a)$ ફોટોડાયોડ
$(b)$ ફોટોવોલ્ટેઇક સેલ
$(c)$ $LED$
$(d)$ ફોટો-થર્મલ ઉપકરણો

આપેલ આલેખ એક સેમિકન્ડક્ટર ઉપકરણ માટે $V-I$ લાક્ષણિકતા દર્શાવે છે. નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

$LED$ એ $GaAsP$ સેમિકન્ડક્ટર મટીરીયલમાંથી બનાવવામાં આવે છે. આ $LED$ નો એનર્જી ગેપ $1.9\, eV$ છે. ઉત્સર્જિત પ્રકાશની તરંગલંબાઇ અને તેનો રંગ ગણો.
$[h = 6.63 \times 10^{-34} \, Js$ અને $c = 3 \times 10^{8} \, ms^{-1}]$

સોલર સેલ માટે $Si$ અને $GaAs$ ને શા માટે પસંદગીના પદાર્થો માનવામાં આવે છે?

સોલર સેલનો $I-V$ લાક્ષણિકતા આલેખ યામ પદ્ધતિના ચોથા ચરણમાં કેમ દોરવામાં આવે છે?

નીચે બે વિધાનો આપેલા છે: એકને વિધાન $A$ તરીકે અને બીજાને કારણ $R$ તરીકે લેબલ કરવામાં આવ્યું છે.
વિધાન $A:$ ફોટોડાયોડનો ઉપયોગ સામાન્ય રીતે પ્રકાશની તીવ્રતા માપવા માટે ફોરવર્ડ બાયસમાં થાય છે.
કારણ $R:$ $p-n$ જંકશન ડાયોડ માટે, લાગુ કરેલ વોલ્ટેજ $V$ પર, $|V_z| > |V| \geq V_0$ માટે ફોરવર્ડ બાયસમાં પ્રવાહ રિવર્સ બાયસ કરતા વધારે હોય છે, જ્યાં $V_0$ એ થ્રેશોલ્ડ વોલ્ટેજ છે અને $V_z$ એ બ્રેકડાઉન વોલ્ટેજ છે.
ઉપરોક્ત વિધાનોના પ્રકાશમાં, નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો.