एक $LED$ (Light Emitting Diode) को एक निश्चित $Ga-As-P$ अर्धचालक पदार्थ पर आधारित $p-n$ जंक्शन से बनाया गया है,जिसका ऊर्जा अंतराल (energy gap) $1.9\, eV$ है। उत्सर्जित प्रकाश की तरंगदैर्ध्य (wavelength) क्या है?

एक परिवार $8 \; kW$ शक्ति का उपयोग करता है।
$(a)$ सीधी सौर ऊर्जा क्षैतिज सतह पर $200 \; W$ प्रति वर्ग मीटर की औसत दर से आपतित होती है। यदि इस ऊर्जा का $20 \%$ उपयोगी विद्युत ऊर्जा में परिवर्तित किया जा सकता है, तो $8 \; kW$ की आपूर्ति के लिए कितने बड़े क्षेत्रफल की आवश्यकता होगी?
$(b)$ इस क्षेत्रफल की तुलना एक सामान्य घर की छत से करें।

$1.4 \ eV$ के बैंड गैप वाले अर्धचालक (semiconductor) से एक $p-n$ फोटोडायोड बनाया गया है। यह किस तरंगदैर्ध्य के सिग्नल का पता लगा सकता है?

एक $LED$ के लिए विद्युत चुम्बकीय स्पेक्ट्रम के दृश्य क्षेत्र में प्रकाश उत्सर्जित करने हेतु,इसका ऊर्जा बैंड अंतराल किस सीमा में होना चाहिए? (प्लांक नियतांक,$h = 6.6 \times 10^{-34} \ J s$ और निर्वात में प्रकाश की गति,$c = 3 \times 10^8 \ m s^{-1}$)

एक $LED$ को एक $pn$ जंक्शन से बनाया गया है जो एक निश्चित अर्धचालक पदार्थ पर आधारित है,जिसका ऊर्जा अंतराल (energy gap) $1.9 \ eV$ है। तो उत्सर्जित प्रकाश की तरंगदैर्ध्य क्या होगी?

जब प्रकाश एक $p-n$ जंक्शन डायोड पर पड़ता है,तो धारा $I$ बनाम वोल्टेज $V$ को नीचे दिए गए चित्र के अनुसार देखा जाता है। डायोड किस चतुर्थांश (quadrant) में शक्ति उत्पन्न करता है,ताकि इसका उपयोग सौर सेल के रूप में किया जा सके?