એક એવી પરિસ્થિતિનો વિચાર કરો જેમાં કોઈ ચોક્કસ $P-N$ જંકશનનો રિવર્સ બાયસ પ્રવાહ વધે છે જ્યારે તેને $\lambda \le 621 \, nm$ તરંગલંબાઇના પ્રકાશમાં રાખવામાં આવે છે. આ પ્રક્રિયા દરમિયાન,હોલ-ઇલેક્ટ્રોન જોડીઓના નિર્માણને કારણે કેરિયર સાંદ્રતામાં વધારો થાય છે. બેન્ડ ગેપનું મૂલ્ય આશરે કેટલું હશે? ($eV$ માં)
- A$1$
- B$4$
- C$2$
- D$0.5$
Explore More
Similar Questions
ફોટોડાયોડની રચના અને કાર્ય સમજાવો.
Medium
View Solutionસોલર સેલના નિર્માણ માટે આદર્શ પદાર્થો કયા છે? અને તેની પસંદગી માટેના માપદંડો જણાવો.
Easy
View Solutionઇન્ફ્રારેડ $LED$ ના ઉત્પાદનમાં વપરાતી સામગ્રી કઈ છે?
$LED$ ની મહત્તમ રેટ કરેલ પાવર $2 \text{ mW}$ છે અને તે નીચેની આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ $5 \text{ V}$ ના ઇનપુટ વોલ્ટેજ સાથે સર્કિટમાં વપરાય છે. અવરોધ $R$ માંથી વહેતો પ્રવાહ $0.5 \text{ mA}$ છે. $LED$ ને નુકસાન ન થાય તે સુનિશ્ચિત કરવા માટે અવરોધ $R_S$ નું લઘુત્તમ મૂલ્ય . . . . . . $\text{k}\Omega$ છે.
DifficultJEE MAIN 2026
View Solutionએક $LED$ ને $pn$ જંકશનમાંથી બનાવવામાં આવે છે જે એક ચોક્કસ અર્ધવાહક પદાર્થ પર આધારિત છે,જેની એનર્જી ગેપ $1.9 \ eV$ છે. તો ઉત્સર્જિત પ્રકાશની તરંગલંબાઇ કેટલી હશે?
Vedclass Products
For Students
Vedclass Test Series
Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.
Start Free TrialFor Teachers
Exam Paper Generator
Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.
Try FreeFor Institutes
Online Exam Module
Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.
See Demo