એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. જો પ્લેટોની વચ્ચે ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે,તો નીચેનામાંથી કઈ રાશિમાં વધારો થાય છે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર બેટરી સાથે જોડાયેલ છે. કેપેસિટર સાથે સંકળાયેલ વિદ્યુતભાર,વોલ્ટેજ,વિદ્યુતક્ષેત્ર અને ઉર્જા અનુક્રમે $Q_0, V_0, E_0$ અને $U_0$ છે. કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે છે પરંતુ બેટરી જોડાયેલી રહે છે. તો હવે મળતી રાશિઓ $Q, V, E$ અને $U$ અગાઉની રાશિઓ સાથે કેવી રીતે સંબંધિત છે?

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે અને તેમની વચ્ચે હવા માધ્યમ તરીકે છે. $3$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબને પ્લેટોની વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે છે જેથી કેપેસીટન્સમાં $50 \%$ નો વધારો થાય છે. ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબની જાડાઈ કેટલી હશે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર $C$ જેની પ્લેટોનું ક્ષેત્રફળ એકમ છે અને તેમની વચ્ચેનું અંતર $d$ છે,તે $K=2$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા પ્રવાહીથી ભરેલું છે. પ્રવાહીનું પ્રારંભિક સ્તર $\frac{d}{3}$ છે. ધારો કે પ્રવાહીનું સ્તર $V$ જેટલી અચળ ઝડપે ઘટે છે. સમય $t$ ના વિધેય તરીકે ટાઇમ કોન્સ્ટન્ટ $\tau$ શોધો.

એક કેપેસિટર બેટરી સાથે જોડાયેલ હોય ત્યારે $60 \ \mu C$ વિદ્યુતભાર સંગ્રહિત કરે છે. જ્યારે પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં ડાયઇલેક્ટ્રિક ભરવામાં આવે છે,ત્યારે બેટરીમાંથી $120 \ \mu C$ વિદ્યુતભાર વહે છે. જો કેપેસિટરનું પ્રારંભિક કેપેસિટન્સ $2 \ \mu F$ હોય,તો ડાયઇલેક્ટ્રિક દાખલ કરવામાં આવે ત્યારે ઉત્પન્ન થતી ઉષ્મા ... $\mu J$ છે.

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર જેની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$,પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $A$ અને ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક $K$ ધરાવતું દ્રવ્ય છે,તેનું કેપેસિટન્સ $C_0$ છે. હવે,આ દ્રવ્યના ત્રીજા ભાગને $2K$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા બીજા દ્રવ્ય વડે બદલવામાં આવે છે,જેથી અસરકારક રીતે બે કેપેસિટર બને છે: એક $\frac{1}{3}A$ ક્ષેત્રફળ અને $2K$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક વાળું,અને બીજું $\frac{2}{3}A$ ક્ષેત્રફળ અને $K$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક વાળું. જો આ નવા કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $C$ હોય,તો $\frac{C}{C_0}$ ની કિંમત શોધો.