સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરની પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર $d$ , પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $A$ અને $K$ ડાઈઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા દ્રવ્ય કેપેસીટરનું કેપેસીટન્સ $C_0$ છે. તેમાંથી ત્રીજા ભાગનું દ્રવ્ય $2K$ ડાઈઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા દ્રવ્ય વડે બદલવામાં આવે છે, કે જેથી તેમાં પરિણામી બે કેપેસીટર એક $\frac{1}{3}\,A$ ક્ષેત્રફળવાળો ,જેનો ડાઈઇલેક્ટ્રિક અચળાંક $2K$ અને બીજો $\frac{2}{3}\,A$ ક્ષેત્રફળવાળો ,જેનો ડાઈઇલેક્ટ્રિક અચળાંક $K$ થાય.જો નવા કેપેસીટરનો કેપેસીટન્સ $C$ હોય તો $\frac{C}{{{C_0}}}$ નો ગુણોત્તર કેટલો થાય?
$1$
$\frac{4}{3}$
$\frac{2}{3}$
$\frac{1}{3}$
હવા ધરાવતા સમાંતર પ્લેત કેપેસીટરનો કેપેસીટન્સ $C$ છે. તેને અડધો ડાઈઇલેક્ટ્રિક અચળાંક $5$ થી ભરી દેવામાં આવે તો તેમાં કેપેસીટન્સમાં .....$\%$ નો વધારો થાય?
સમતુલ્ય ડાઇઇલેકિટ્રક અચળાંક $k$ હોય,તો..
એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર જેનું ક્ષેત્રફળ $A$ છે. પ્લેટ અંતર '$d$', તેને બે ડાયઈલેક્ટ્રિકમાં ભરવામાં આવે છે. આ તંત્રનું કેપેસિન્ટન્સ શું હશે ?
$30 \pi \,cm ^{2}$ જેટલું ક્ષેત્રફળ ધરાવતી અને જેમની વચ્ચે $1 \;mm$ જેટલું અંતર હોય તેવી બે તક્તિની મદદ થી એક સમાંતર પ્લેટ સંધારક બનાવવામાં આવે છે. પ્લેટોની વચ્ચે $3.6 \times 10^{7} \;Vm ^{-1}$ જેટલી ડાયઈલેક્ટ્રિક પ્રબળતતા (strength) ધરાવતું દ્રવ્ય ભરવામાં આવે છે. ડાયઈલેટ્રિક બ્રેકડાઉન ના થાય તે રીતે સંધારક ઉપર સંગ્રહ કરી શકાતો મહત્તમ વિધુતભાર જો $7 \times 10^{-6}\; C$ હોય, તો પદાર્થનો ડાયઈલેક્ટ્રિક અચળાંક મૂલ્ય........હશે.
$\left[\frac{1}{4 \pi \varepsilon_{0}}=9 \times 10^{9} Nm ^{2} C ^{-2}\right] $ નો ઉપયોગ કરો
સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરમાં $A$ સપાટીનું ક્ષેત્રફળ ધરાવતી બે પ્લેટ $d$ અંતરે છે.જેને ડાઈઇલેક્ટ્રિકથી ભરવામાં આવે છે . જેની પરમિટિવિટી એક પ્લેટ આગળ ${ \varepsilon _1}$ અને બીજી પ્લેટ આગળ ${ \varepsilon _2}$ છે તો આ કેપેસીટરનું કેપેસીટન્સ કેટલું હશે?