એક કેપેસિટરને બેટરી સાથે જોડેલું રાખવામાં આવે છે અને તેની પ્લેટો વચ્ચે ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે છે. આ પ્રક્રિયા દરમિયાન

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $2.5 \mu F$ છે. જ્યારે તેને આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ ડાયઇલેક્ટ્રિકથી અડધું ભરવામાં આવે છે,ત્યારે તેનું કેપેસિટન્સ $5 \mu F$ થઈ જાય છે. ડાયઇલેક્ટ્રિકનો ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક કેટલો હશે?

એક અલગ કરેલા ચાર્જ થયેલા કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે છે. નીચેનામાંથી કઈ રાશિ સમાન રહેશે?

આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર પાસે ડાયઇલેક્ટ્રિકના બે સ્તરો છે. આ કેપેસિટરને બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. ડાબી પ્લેટથી વિદ્યુતક્ષેત્ર $(E)$ અને અંતર $(x)$ વચ્ચેનો આલેખ કેવો હશે?

એક સમાંતર પ્લેટ એર કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $C$ છે. જ્યારે તેને આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ $K = 5$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા પદાર્થથી અડધું ભરવામાં આવે છે,ત્યારે કેપેસિટન્સમાં થતો ટકાવારી વધારો . . . . . . છે.

બે સમાન કેપેસિટર $M$ અને $N$ ને બેટરી સાથે શ્રેણીમાં જોડવામાં આવે છે. $M$ ની પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યા સંપૂર્ણપણે $8$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાયઇલેક્ટ્રિક માધ્યમથી ભરવામાં આવે છે અને $N$ ની પ્લેટો વચ્ચે $d/2$ જાડાઈની તાંબાની પ્લેટ મૂકવામાં આવે છે ($d$ એ પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર છે). તો $M$ અને $N$ ના બે છેડા વચ્ચેના વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત અનુક્રમે કયા ગુણોત્તરમાં હશે?