$298 \ K$ पर $Zn | ZnSO_{4(0.01 \ M)} || CuSO_{4(1 \ M)} | Cu$ डेनियल सेल का सेल विभव $E_1$ है। जब $ZnSO_4$ और $CuSO_4$ के विलयन की सांद्रता क्रमशः $1 \ M$ और $0.01 \ M$ कर दी जाती है,तो सेल विभव $E_2$ हो जाता है। $E_1$ और $E_2$ के बीच संबंध ज्ञात कीजिए।

  • A
    $E_1 > E_2$
  • B
    $E_1 < E_2$
  • C
    $E_1 = E_2$
  • D
    $E_2 = 0 \neq E_1$

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निम्नलिखित सेल के लिए $298 \ K$ पर सेल विभव की गणना कीजिए:
$Cu_{(s)} | Cu^{2+}(0.1 \ M) || Cu^{2+}(1 \ M) | Cu_{(s)}$
दिया गया है: $E_{Cu^{2+}|Cu}^o = 0.34 \ V$ ($V$ में)

निम्नलिखित सेल के लिए सेल विभव की गणना करें: ............... $V$
$Cr_{(s)} | Cr^{3+}_{(0.1 \, M)} || Fe^{2+}_{(0.01 \, M)} | Fe_{(s)}$
दिया गया है: $E^0_{Cr^{3+}|Cr} = -0.72 \, V$,$E^0_{Fe^{2+}|Fe} = -0.42 \, V$ ($, V$ में)

दिए गए हाफ-सेल $Al^{3+} + 3e^{-} \rightarrow Al$ के लिए,एल्युमीनियम आयनों की सांद्रता बढ़ाने पर,इलेक्ट्रोड विभव

$Pt_{(s)} | H_{2(g)} (1 \ atm) | H^{+} (pH = 2) || H^{+} (pH = 3) | H_{2(g)} (1 \ atm) | Pt_{(s)}$ सेल अभिक्रिया होगी

निम्नलिखित सेल के लिए सेल विभव
$Pt \mid H_{2(g)} \mid H^{+}_{(aq)} \parallel Cu^{2+}(0.01 \, M) \mid Cu_{(s)}$
$298 \, K$ पर $0.576 \, V$ है। विलयन का $pH$ $......$ है (निकटतम पूर्णांक)

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