જ્યારે $hv$ ઉર્જા ધરાવતો ફોટોન $E_0$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી એલ્યુમિનિયમ પ્લેટ પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઉર્જા $K$ છે. જો આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઉર્જા કેટલી થશે?

એક ફોટો-સંવેદી ધાતુની સપાટીનું કાર્ય વિધેય $hv_0$ છે. જો $2hv_0$ ઊર્જાનો ફોટોન આ સપાટી પર આપાત થાય,ત્યારે ઈલેક્ટ્રોન $4 \times 10^6 \, m/s$ ના મહત્તમ વેગ સાથે ઉત્સર્જિત થાય છે. જ્યારે આપાત ફોટોનની ઊર્જા વધારીને $5hv_0$ કરવામાં આવે,ત્યારે ફોટો-ઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ કેટલો હશે?

$600 \, nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા પ્રકાશના સંપર્કમાં રહેલી એક ધાતુને ધ્યાનમાં લો. જ્યારે $400 \, nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ વાપરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા બમણી થાય છે. ધાતુનું વર્ક ફંક્શન $eV$ માં શોધો.

ધાતુની સપાટી (જેનું કાર્ય વિધેય $1.65 \ eV$ છે) માંથી ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરવા માટે જરૂરી પ્રકાશની લઘુત્તમ આવૃત્તિ કેટલી હશે?

એક ચોક્કસ પ્રયોગમાં ફોટોઈલેક્ટ્રિક કટ-ઓફ વોલ્ટેજ $1.5 \; V$ છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી છે?

જો ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલમાં આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $4000 \mathring A$ થી બદલીને $3000 \mathring A$ કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલમાં થતો ફેરફાર ..... $V$ હશે.