એક ચોક્કસ પ્રયોગમાં ફોટોઈલેક્ટ્રિક કટ-ઓફ વોલ્ટેજ $1.5 \; V$ છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી છે?

$400 \,nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા આપાત પ્રકાશ દ્વારા ધાતુની સપાટીમાંથી ઉત્સર્જિત તમામ ઇલેક્ટ્રોન $2 \,N/C$ ના સમાન વિદ્યુતક્ષેત્રની દિશામાં $1 \,m$ અંતર કાપીને સ્થિર થાય છે. સપાટીનું કાર્ય વિધેય કેટલું હશે ($\,eV$ માં)?

જો કોઈ ચોક્કસ ધાતુ માટે વર્ક ફંક્શન $3.2 \times 10^{-19} \ J$ હોય અને તેને $8 \times 10^{14} \ Hz$ આવૃત્તિના પ્રકાશથી પ્રકાશિત કરવામાં આવે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા જુલમાં કેટલી હશે?

જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ એક ફોટોસેન્સિટિવ સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V$ છે. જ્યારે $3 \lambda$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ તે જ સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $\frac{V}{6}$ છે. તો તે સપાટી માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલી હશે?

ધાતુની સપાટી પર તેના કાર્ય વિધેય કરતાં ત્રણ ગણી અને નવ ગણી ઊર્જા ધરાવતા બે ફોટોન આપાત થાય છે. બંને કિસ્સામાં ઉત્સર્જાતા ફોટો-ઈલેક્ટ્રોનના મહત્તમ વેગનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

એક ચોક્કસ પ્રયોગમાં ફોટોઈલેક્ટ્રિક કટ-ઓફ વોલ્ટેજ $1.5 \text{ V}$ છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા . . . . . . હશે.