$600 \, nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા પ્રકાશના સંપર્કમાં રહેલી એક ધાતુને ધ્યાનમાં લો. જ્યારે $400 \, nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ વાપરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા બમણી થાય છે. ધાતુનું વર્ક ફંક્શન $eV$ માં શોધો.

ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ઉર્જા કયા પરિબળો પર આધાર રાખે છે?

આકૃતિ સીઝિયમ,પોટેશિયમ,સોડિયમ અને લિથિયમની પ્રકાશસંવેદનશીલ સપાટીઓ માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_0)$ અને આવૃત્તિ $(\nu)$ વચ્ચેના વિવિધ આલેખ દર્શાવે છે. આ આલેખ સમાંતર છે. તેમના વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) મુજબ લક્ષ્યોનો સાચો ક્રમ,સૌથી વધુથી શરૂ કરીને,કયો હશે?

જ્યારે ધાતુના ટુકડાને $\lambda$ તરંગલંબાઇના એકવર્ણી પ્રકાશથી પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $3 V_{s}$ છે. જ્યારે તે જ સપાટીને $2 \lambda$ તરંગલંબાઇના પ્રકાશથી પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_{s}$ થાય છે. ફોટોઇલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઇનું મૂલ્ય કેટલું હશે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,જો આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઈ $6000 \ \mathring{A}$ થી ઘટાડીને $4000 \ \mathring{A}$ કરવામાં આવે અને વિકિરણની તીવ્રતા અચળ રાખવામાં આવે,તો:

આર્ગોન લેસર દ્વારા ઉત્પન્ન થયેલ $488 \, nm$ તરંગલંબાઇ ધરાવતા પ્રકાશનો ઉપયોગ ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસર માટે કરવામાં આવે છે। જ્યારે આ વર્ણપટ રેખાનો પ્રકાશ કેથોડ પર આપાત થાય છે, ત્યારે ફોટોઇલેક્ટ્રોનનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $0.38 \, V$ છે। કેથોડ મટીરીયલનું વર્ક ફંક્શન કેટલું હશે ($ \, eV$ માં)?