જો ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલમાં આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $4000 \mathring A$ થી બદલીને $3000 \mathring A$ કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલમાં થતો ફેરફાર ..... $V$ હશે.

આઈનસ્ટાઈનના ફોટો ઈલેક્ટ્રીક સમીકરણ મુજબ,ઉત્સર્જિત ફોટો ઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઊર્જા વિરુદ્ધ આપાત વિકિરણની આવૃત્તિનો આલેખ એક સીધી રેખા મળે છે. તેનો ઢાળ . . . . . .

$hv$ ઉર્જા ધરાવતો એક ફોટોન એવી ધાતુના મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન દ્વારા શોષાય છે જેનું વર્ક ફંક્શન $\phi < hv$ છે.

જ્યારે $6 eV$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન સપાટી પર પડે છે ત્યારે તેમાંથી ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઉર્જા $4 eV$ છે. તો વોલ્ટમાં સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ કેટલું હશે?

$400\,nm$ તરંગલંબાઈ અને $1.55\,mW$ પાવર ધરાવતા પ્રકાશના કિરણપુંજને ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલના કેથોડ પર આપાત કરવામાં આવે છે. જો આપાત ફોટોનમાંથી માત્ર $10\%$ ફોટોન અસરકારક રીતે ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્પન્ન કરતા હોય,તો આ ઈલેક્ટ્રોનને કારણે મળતો પ્રવાહ $\mu A$ માં શોધો. (આપેલ છે: $hc = 1240\,eV\cdot nm$,$e = 1.6 \times 10^{-19}\,C$)

સોડિયમ પર ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $5000 \ Å$ છે. તેનું કાર્ય વિધેય (work function) કેટલું હશે?