જ્યારે $1 \ W/m^2$ તીવ્રતા અને $5 \times 10^{-7} \ m$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ સપાટી પર આપાત થાય છે, ત્યારે તેનું સંપૂર્ણ શોષણ થાય છે. જો $100$ ફોટોન એક ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરતા હોય અને સપાટીનું ક્ષેત્રફળ $1 \ cm^2$ હોય, તો ફોટોઇલેક્ટ્રિક પ્રવાહ કેટલો હશે?

$5.5 \ eV$ ઉર્જા ધરાવતો ફોટોન ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે,જે $4.0 \ eV$ ની મહત્તમ ગતિજ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરે છે. આ ઈલેક્ટ્રોન માટે જરૂરી સ્ટોપિંગ વોલ્ટેજ .......... $V$ છે.

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર માટે નીચેનામાંથી કયા વિધાનો સાચા છે?
$I$ ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા પ્રકાશની આવૃત્તિ પર આધાર રાખતી નથી.
$II$ અત્યંત તીવ્ર પ્રકાશ માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર હંમેશા જોવા મળે છે.
$III$ ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા પ્રકાશની તીવ્રતા પર આધાર રાખતી નથી.
$IV$ વધુ આવૃત્તિ માટે બહાર નીકળતા ઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા વધારે હોય છે.

એક ચોક્કસ ધાતુની સપાટી માટે ફોટોઇલેક્ટ્રિક થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઇ $3600 \mathring A$ છે. જો ધાતુની સપાટી પર $1100 \mathring A$ ની તરંગલંબાઇ આપાત કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા કેટલી હશે ($text{ eV}$ માં)?

એક પ્રકાશસંવેદનશીલ પદાર્થની સપાટીનું કાર્ય વિધેય $6.2\, eV$ છે. આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઇ,જેના માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $5\, V$ છે,તે કયા વિસ્તારમાં આવેલી છે?

હાઇડ્રોજન ડિસ્ચાર્જ ટ્યુબમાંથી આવતો પ્રકાશ ફોટોઇલેક્ટ્રિક સેલના કેથોડ પર આપાત થાય છે. કેથોડ સપાટીનું વર્ક ફંક્શન $4.2 \ eV$ છે. ફોટો-કરંટને શૂન્ય કરવા માટે,કેથોડની સાપેક્ષમાં એનોડનો વોલ્ટેજ ........... $V$ કરવો પડે.