એક ચોક્કસ ધાતુની સપાટી માટે ફોટોઇલેક્ટ્રિક થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઇ $3600 \mathring A$ છે. જો ધાતુની સપાટી પર $1100 \mathring A$ ની તરંગલંબાઇ આપાત કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા કેટલી હશે ($text{ eV}$ માં)?

$1 \times 10^{-4} \, m^2$ ક્ષેત્રફળ ધરાવતી ધાતુની પ્લેટ પર $16 \, mW/m^2$ તીવ્રતા ધરાવતા વિકિરણ આપાત થાય છે. ધાતુનું કાર્ય વિધેય $5 \, eV$ છે. આપાત ફોટોનની ઊર્જા $10 \, eV$ છે અને માત્ર $10\%$ ફોટોન ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્પન્ન કરે છે. પ્રતિ સેકન્ડ ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની સંખ્યા અને તેમની મહત્તમ ગતિ ઊર્જા અનુક્રમે કેટલી હશે? $[1 \, eV = 1.6 \times 10^{-19} \, J]$

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરમાં જો પ્રકાશની તીવ્રતા બમણી કરવામાં આવે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી થશે?

એક ફોટોસેન્સિટિવ પદાર્થ માટે,વર્ક ફંક્શન $W_0$ છે અને સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V$ છે. આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઈ કેટલી હશે? ($h=$ પ્લાન્કનો અચળાંક,$c=$ પ્રકાશનો વેગ,$e=$ ઇલેક્ટ્રોનિક ચાર્જ)

વિધાન $-1$: જ્યારે અલ્ટ્રાવાયોલેટ પ્રકાશ ફોટોસેલ પર આપાત થાય છે, ત્યારે તેનો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_0$ છે અને ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $K_{max}$ છે. જ્યારે અલ્ટ્રાવાયોલેટ પ્રકાશને $X$-કિરણો દ્વારા બદલવામાં આવે છે, ત્યારે $V_0$ અને $K_{max}$ બંને વધે છે.
વિધાન $-2$: આપાત પ્રકાશમાં રહેલી આવૃત્તિઓની શ્રેણીને કારણે ફોટોઈલેક્ટ્રોન શૂન્યથી મહત્તમ મૂલ્ય સુધીની ઝડપ સાથે ઉત્સર્જિત થાય છે.

એક પદાર્થ માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન માટેની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $5500\,\mathring A$ છે. જ્યારે આ પદાર્થને નીચેનામાંથી કયા એકવર્ણી વિકિરણ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન થશે:
$A.$ $75\,W$ ઇન્ફ્રારેડ લેમ્પ
$B.$ $10\,W$ ઇન્ફ્રારેડ લેમ્પ
$C.$ $75\,W$ અલ્ટ્રા-વાયોલેટ લેમ્પ
$D.$ $10\,W$ અલ્ટ્રા-વાયોલેટ લેમ્પ
નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો: