$5.5 \ eV$ ઉર્જા ધરાવતો ફોટોન ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે,જે $4.0 \ eV$ ની મહત્તમ ગતિજ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરે છે. આ ઈલેક્ટ્રોન માટે જરૂરી સ્ટોપિંગ વોલ્ટેજ .......... $V$ છે.

જ્યારે આપાત વિકિરણની ઊર્જામાં $20 \%$ નો વધારો કરવામાં આવે છે,ત્યારે ધાતુની સપાટીમાંથી ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિ ઊર્જા $0.5 \ eV$ થી વધીને $0.8 \ eV$ થાય છે. ધાતુનું વર્ક ફંક્શન કેટલું હશે ($eV$ માં)?

સોડિયમ અને તાંબાનું કાર્ય વિધેય (work function) અનુક્રમે $2.3 \ eV$ અને $4.5 \ eV$ છે. તેમની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈઓનો ગુણોત્તર આશરે ....... છે.

$9 \, eV$ અને $4.5 \, eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી બે ધાતુની સપાટીઓ $A$ અને $B$ માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઇઓ વચ્ચેનો તફાવત $nm$ માં કેટલો છે? (આપેલ છે,$hc = 1242 \, eV \, nm$)

$400 \ nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા એકવર્ણી તરંગોનું વિકિરણ $Zn$,$Fe$ અને $Ni$ ધાતુઓની સપાટી પર આપાત થાય છે,જેમના કાર્ય વિધેય (work functions) અનુક્રમે $3.4 \ eV$,$4.8 \ eV$ અને $5.9 \ eV$ છે. ($hc = 1242 \ eV \ nm$ લો)
$(a)$ કોઈપણ ધાતુની સપાટીમાંથી ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $(KE)$ $0.3 \ eV$ છે.
$(b)$ $Ni$ ની સપાટીમાંથી કોઈ ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થતા નથી.
$(c)$ જો વિકિરણ સ્ત્રોતની આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રોનની $KE$ પણ બમણી થઈ જાય છે.
$(d)$ જો આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઈ $200 \ nm$ કરતા ઓછી હોય,તો ત્રણેય ધાતુઓની સપાટીમાંથી ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થશે.
સાચા વિધાનો છે:

જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતું વિકિરણ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $4.8 \ V$ છે. જો તે જ સપાટીને બમણી તરંગલંબાઈ ધરાવતા વિકિરણ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $1.6 \ V$ થાય છે. તો સપાટી માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલી હશે?