दी गई आकृति में,एक $Si$ डायोड और एक $Ge$ डायोड श्रेणीक्रम में जुड़े हैं। दोनों डायोड को अग्र अभिनत (forward bias) में लाने के लिए बिंदु $A$ पर विभव कितना होना चाहिए?

एक अर्धचालक डायोड में,$P$-सिरे को अर्थ किया गया है और $N$-सिरे को $-2\,V$ के विभव पर रखा गया है,तो डायोड

दिखाए गए चित्र में, यदि डायोड का फॉरवर्ड वोल्टेज ड्रॉप $0.2 \, V$ है, तो $A$ और $B$ के बीच वोल्टेज का अंतर क्या है ($V$ में)?

एक $p-n$ जंक्शन में,अवक्षय क्षेत्र (depletion region) में $5 \times 10^5 \ V/m$ का विद्युत क्षेत्र मौजूद है। $n$-साइड से $p$-साइड की ओर विसरित (diffuse) होने के लिए एक चालन इलेक्ट्रॉन की न्यूनतम गतिज ऊर्जा $3.2 \times 10^{-20} \ J$ पाई जाती है। अवक्षय क्षेत्र की चौड़ाई है,

दिए गए परिपथ में धारा का परिमाण ज्ञात कीजिए। ($A$ में)

नीचे दिखाए गए परिपथ में दो आदर्श डायोड हैं,जिनमें से प्रत्येक का अग्र प्रतिरोध (forward resistance) $50\,\Omega $ है। यदि बैटरी का वोल्टेज $6\,V$ है,तो $100\,\Omega $ के प्रतिरोध से होकर बहने वाली धारा (एम्पीयर में) क्या है?