एक $p-n$ जंक्शन में,अवक्षय क्षेत्र (depletion region) में $5 \times 10^5 \ V/m$ का विद्युत क्षेत्र मौजूद है। $n$-साइड से $p$-साइड की ओर विसरित (diffuse) होने के लिए एक चालन इलेक्ट्रॉन की न्यूनतम गतिज ऊर्जा $3.2 \times 10^{-20} \ J$ पाई जाती है। अवक्षय क्षेत्र की चौड़ाई है,

एक $P-N$ जंक्शन में $0.5 \ V$ का विभव प्राचीर (potential barrier) है। यदि अवक्षय परत (depletion region) $5 \times 10^{-7} \ m$ चौड़ी है,तो इस क्षेत्र में विद्युत क्षेत्र की तीव्रता क्या होगी?

एक आदर्श $p-n$ जंक्शन डायोड का अभिलक्षणिक वक्र (characteristic curve) है:

किसी $p-n$ जंक्शन डायोड में जो किसी परिपथ से नहीं जुड़ा है:

एक $P-N$ जंक्शन में $0.5 \ V$ का विभव प्राचीर (potential barrier) है। यदि एक इलेक्ट्रॉन $N$-सिरे से $5 \times 10^5 \ m/s$ की गति से $P-N$ जंक्शन डायोड में प्रवेश करता है,तो $P$-सिरे से बाहर निकलते समय उसकी गति क्या होगी?

एक $p-n$ जंक्शन को एक संधारित्र (capacitor) के रूप में मानें,जिसमें $p$ और $n$-पदार्थ पतले धातु इलेक्ट्रोड के रूप में और अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई उनके बीच की दूरी के रूप में कार्य करती है। इसके आधार पर,मान लें कि एक $n-p-n$ ट्रांजिस्टर $CE$ कॉन्फ़िगरेशन में एम्पलीफायर के रूप में काम कर रहा है। यदि $C_1$ और $C_2$ क्रमशः बेस-एमिटर और कलेक्टर-एमिटर जंक्शन कैपेसिटेंस हैं,तो :