जब एक $P-N$ जंक्शन फॉरवर्ड बायस में होता है,तो निम्नलिखित में से क्या सत्य है?

  • A
    बैटरी का धनात्मक टर्मिनल $P-N$ जंक्शन के $P$-क्षेत्र से जुड़ा होता है और डिप्लीशन क्षेत्र चौड़ा होता है।
  • B
    बैटरी का धनात्मक टर्मिनल $P-N$ जंक्शन के $N$-क्षेत्र से जुड़ा होता है और डिप्लीशन परत चौड़ी होती है।
  • C
    बैटरी का धनात्मक टर्मिनल जंक्शन के $N$-क्षेत्र से जुड़ा होता है और डिप्लीशन क्षेत्र पतला होता है।
  • D
    बैटरी का धनात्मक टर्मिनल जंक्शन के $P$-क्षेत्र से जुड़ा होता है और डिप्लीशन क्षेत्र पतला होता है।

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$p-n$ जंक्शन के $n$-क्षेत्र में एक इलेक्ट्रॉन $5 \times 10^5 \ m/s$ की गति से जंक्शन की ओर बढ़ता है। यदि जंक्शन का अवरोध विभव (barrier potential) $0.45 \ V$ है,तो वह गति ज्ञात कीजिए जिससे इलेक्ट्रॉन अवरोध को पार करने के बाद $p$-क्षेत्र में प्रवेश करता है (इलेक्ट्रॉन का आवेश $e = 1.6 \times 10^{-19} \ C$ और इलेक्ट्रॉन का द्रव्यमान $m = 9 \times 10^{-31} \ kg$ है)।

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$P-N$ जंक्शन पर फॉरवर्ड बायस लगाने से

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