જ્યારે $P-N$ જંકશન રિવર્સ બાયસમાં હોય,ત્યારે જંકશનમાંથી વહેતો પ્રવાહ મુખ્યત્વે શેના કારણે હોય છે?

એક $p-n$ જંકશન ડાયોડને $5.7 \ V$ ના emf ધરાવતી બેટરી સાથે $5 \ k\Omega$ ના અવરોધક સાથે શ્રેણીમાં એવી રીતે જોડવામાં આવે છે કે જેથી તે ફોરવર્ડ બાયસમાં હોય. જો ડાયોડનો બેરિયર પોટેન્શિયલ $0.7 \ V$ હોય અને ડાયોડનો અવરોધ અવગણવામાં આવે,તો પરિપથમાં વહેતો પ્રવાહ કેટલો હશે?

અનબાયસ્ડ $P-N$ જંકશનમાં,હોલ્સ $p-$ વિસ્તારમાંથી $n-$ વિસ્તારમાં પ્રસરણ પામે છે કારણ કે

આકૃતિમાં ફોરવર્ડ બાયસમાં $p-n$ જંકશન ડાયોડના $I-V$ લાક્ષણિકતાઓ દર્શાવેલ છે. અનુક્રમે $2 \; V$ અને $4 \; V$ ના ફોરવર્ડ બાયસ વોલ્ટેજને અનુરૂપ ડાયનેમિક અવરોધનો ગુણોત્તર કેટલો છે?

નીચે આપેલા સર્કિટમાં એક વેવફોર્મ લાગુ કરવામાં આવે છે। આદર્શ ડાયોડ અને ${R_1} = {R_2}$ ધારીને, નીચેનામાંથી કયો આઉટપુટ વેવફોર્મ ઉત્પન્ન થશે?

એક સેમિકન્ડક્ટરમાં બેન્ડ ગેપ $0.6 eV$ છે. આ સેમિકન્ડક્ટરમાં હોલ-ઇલેક્ટ્રોન જોડી બનાવવા માટે સક્ષમ ઇલેક્ટ્રોમેગ્નેટિક રેડિયેશનની મહત્તમ તરંગલંબાઇ કેટલી હશે ($nm$ માં)? [$hc = 1242 eV-nm$ નો ઉપયોગ કરો]