એક સેમિકન્ડક્ટરમાં બેન્ડ ગેપ $0.6 eV$ છે. આ સેમિકન્ડક્ટરમાં હોલ-ઇલેક્ટ્રોન જોડી બનાવવા માટે સક્ષમ ઇલેક્ટ્રોમેગ્નેટિક રેડિયેશનની મહત્તમ તરંગલંબાઇ કેટલી હશે ($nm$ માં)? [$hc = 1242 eV-nm$ નો ઉપયોગ કરો]

નીચેના પરિપથમાં જંકશન ડાયોડને તેના $I-V$ લાક્ષણિક વક્રના ની પોઈન્ટ $(0.7 \, V)$ થી ઉપર રહેવા માટે લઘુત્તમ $1 \, mA$ પ્રવાહની જરૂર છે. ની પોઈન્ટથી ઉપર ડાયોડ પરનો વોલ્ટેજ પ્રવાહથી સ્વતંત્ર છે. જો $V_B = 5 \, V$ હોય,તો $R$ નું મહત્તમ મૂલ્ય કેટલું હશે જેથી વોલ્ટેજ ની પોઈન્ટથી ઉપર રહે?

$P-N$ જંકશનમાં,સ્થિતિમાનના સંદર્ભમાં નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

એક સેમિકન્ડક્ટર ઉપકરણ $X$ ને બેટરી અને અવરોધ સાથે શ્રેણીમાં જોડવામાં આવે છે. પરિપથમાંથી $10 \ mA$ નો પ્રવાહ વહેતો જોવા મળે છે. જો $X$ ના ટર્મિનલ્સને ઉલટાવી દેવામાં આવે,તો પ્રવાહ લગભગ શૂન્ય થઈ જાય છે. $X$ શું હોઈ શકે?

આપેલ પરિપથમાં બે આદર્શ ડાયોડ એક બેટરી સાથે જોડાયેલા છે. બેટરી દ્વારા પૂરો પાડવામાં આવતો પ્રવાહ કેટલો છે ($A$ માં)?

$P-N$ જંકશન ડાયોડનો બેરિયર પોટેન્શિયલ શેના પર આધાર રાખતો નથી?