હવાની વચ્ચે પ્લેટો ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $9 \ pF$ છે. પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. હવે પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યાને બે ડાય-ઈલેક્ટ્રિક વડે ભરવામાં આવે છે. એક ડાય-ઈલેક્ટ્રિકનો ડાય-ઈલેક્ટ્રિક અચળાંક $K_1 = 3$ અને જાડાઈ $d/3$ છે,જ્યારે બીજાનો ડાય-ઈલેક્ટ્રિક અચળાંક $K_2 = 6$ અને જાડાઈ $2d/3$ છે. તો કેપેસિટરનું નવું કેપેસિટન્સ $pF$ માં શોધો.

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર અડધું કરવામાં આવે છે અને પ્લેટોની વચ્ચે $10$ સાપેક્ષ પરમિટિવિટી ધરાવતું ડાયલેક્ટ્રિક માધ્યમ દાખલ કરવામાં આવે છે. કેપેસિટરના અંતિમ અને પ્રારંભિક કેપેસીટન્સનો ગુણોત્તર કેટલો થાય?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું ક્ષેત્રફળ $6 \, cm^2$ અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $3 \, mm$ છે. આ કેપેસિટરની વચ્ચે સમાન જાડાઈના ત્રણ ડાયલેક્ટ્રિક પદાર્થો ભરવામાં આવ્યા છે (આકૃતિ જુઓ),જેના ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંકો $K_1 = 10, K_2 = 12$ અને $K_3 = 14$ છે. જો આ કેપેસિટરમાં કોઈ એક એવો ડાયલેક્ટ્રિક પદાર્થ સંપૂર્ણપણે ભરવામાં આવે કે જેથી કેપેસિટન્સ સમાન રહે,તો તે પદાર્થનો ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક કેટલો હશે?

$A$ જેટલું પ્લેટ ક્ષેત્રફળ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ,$K_{1}$ અને $K_{2}$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી,$A/2$ ક્ષેત્રફળ અને $d/2$ જાડાઈની બે ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં મૂકવામાં આવે છે. કેપેસિટરનું સમતુલ્ય કેપેસિટન્સ કેટલું થશે?

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $C_0$ છે. જો સાપેક્ષ પરમિટિવિટી $\varepsilon_r$ અને પ્લેટો વચ્ચેના અંતરના ચોથા ભાગ જેટલી જાડાઈ ધરાવતી ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે,તો નવું કેપેસિટન્સ $C$ થાય છે. તો ગુણોત્તર $\frac{C}{C_0}$ શોધો.

હવામાં પ્લેટો ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $8 \;pF$ $(1 \;pF = 10^{-12} \;F)$ છે. જો પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર અડધું કરવામાં આવે અને તેમની વચ્ચેની જગ્યામાં $6$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતો પદાર્થ ભરવામાં આવે,તો કેપેસિટન્સ ($pF$ માં) કેટલું થશે?