Adsorption and Adsorption isotherm Questions in Hindi

(B) अधिशोषण प्रक्रिया में गैस के अणु ठोस सतह पर फंस जाते हैं,जिससे उनकी गति सीमित हो जाती है। इससे कणों की यादृच्छिकता (randomness) कम हो जाती है,जिसका अर्थ है कि एन्ट्रॉपी $(S)$ घटती है। चूँकि $\Delta G = \Delta H - T\Delta S$ और स्वतःस्फूर्त प्रक्रिया के लिए $\Delta G < 0$ होना चाहिए,एन्ट्रॉपी में कमी $(\Delta S < 0)$ $-T\Delta S$ पद को धनात्मक बनाती है। प्रक्रिया के स्वतःस्फूर्त होने के लिए एन्थैल्पी परिवर्तन $(\Delta H)$ ऋणात्मक होना चाहिए,जो प्रक्रिया को ऊष्माक्षेपी बनाता है।

(C) धातुओं द्वारा हाइड्रोजन गैस को अधिशोषित करने की क्षमता को ऑक्लूजन (occlusion) कहा जाता है।
विभिन्न धातुओं द्वारा $H_2$ गैस के अधिशोषण का क्रम इस प्रकार है:
$\text{कोलाइडल पैलेडियम} > \text{पैलेडियम} > \text{प्लैटिनम} > \text{सोना} > \text{निकल}$.
अतः,कोलाइडल पैलेडियम हाइड्रोजन गैस के सबसे बड़े आयतन को अधिशोषित कर सकता है।

(C) संक्रमण धातुओं की सतह पर हाइड्रोजन गैस के अधिशोषण की घटना को विशेष रूप से $Occlusion$ (ओक्लूजन) के रूप में जाना जाता है।

(C) तेल को रंगहीन और शुद्ध करने के लिए सोडियम हाइड्रोक्साइड $(NaOH)$ का उपयोग किया जाता है। यह मुक्त फैटी एसिड को बेअसर करके और अशुद्धियों को दूर करके तेल को शुद्ध करता है।

(B) वायुमंडल में उत्कृष्ट गैसें बहुत कम मात्रा में पाई जाती हैं।
इन्हें अलग-अलग तापमान पर नारियल के चारकोल का उपयोग करके एक-दूसरे से अलग किया जाता है।
नारियल का चारकोल एक अधिशोषक के रूप में कार्य करता है जो विभिन्न तापमानों पर विभिन्न गैसों को अधिशोषित करता है।

(C) सही उत्तर $(C)$ है।
$100 \ K$ जैसे कम तापमान पर,नारियल का चारकोल उत्कृष्ट गैसों के लिए एक अधिशोषक के रूप में कार्य करता है।
$He$ को छोड़कर,अन्य सभी उत्कृष्ट गैसें नारियल के चारकोल द्वारा अधिशोषित हो जाती हैं।
अधिशोषण की सीमा उत्कृष्ट गैस के परमाणु आकार और ध्रुवीयता में वृद्धि के साथ बढ़ती है।
इसलिए,$Ar$,$Kr$ और $Xe$ अधिशोषित होते हैं,जबकि $He$ और $Ne$ नगण्य मात्रा में अधिशोषित होते हैं।

(C) जब $KI$ विलयन में $AgNO_3$ आधिक्य में मिलाया जाता है,तो निर्मित $AgI$ अवक्षेप पर परिक्षेपण माध्यम से $Ag^{+}$ आयनों का अधिशोषण होता है।
इसके परिणामस्वरूप $AgI$ का धनावेशित कोलाइडल सोल बनता है।

(B) . रासायनिक अधिशोषण प्रकृति में अनुत्क्रमणीय होता है क्योंकि इसमें अधिशोषक और अधिशोष्य के बीच मजबूत रासायनिक बंधों का निर्माण होता है।

(A) रसोशोषण में अधिशोष्य और अधिशोषक के बीच रासायनिक बंधों का निर्माण होता है।
इस प्रक्रिया के लिए बंध निर्माण शुरू करने हेतु सक्रियण ऊर्जा की आवश्यकता होती है।
इसलिए,प्रारंभ में,तापमान बढ़ने के साथ रसोशोषण बढ़ता है क्योंकि अधिक अणु सक्रियण बाधा को पार करने के लिए पर्याप्त ऊर्जा प्राप्त कर लेते हैं।

(B) अधिशोषण एक पृष्ठीय घटना है जो अधिशोषक के पृष्ठीय क्षेत्रफल पर निर्भर करती है।
$1$. अधिशोषण प्रक्रिया एकपरतीय (रासायनिक अधिशोषण) या बहुपरतीय (भौतिक अधिशोषण) हो सकती है।
$2$. अधिशोषक के कणों का आकार अधिशोषण की मात्रा को काफी प्रभावित करता है। कणों का आकार जितना छोटा होगा,पृष्ठीय क्षेत्रफल उतना ही अधिक होगा,जिससे अधिशोषण की मात्रा बढ़ जाती है। इसलिए,यह कथन कि कणों का आकार अधिशोषण को प्रभावित नहीं करता है,गलत है।
$3$. ला शातेलिए के सिद्धांत के अनुसार,चूंकि भौतिक अधिशोषण एक ऊष्माक्षेपी प्रक्रिया है,इसलिए तापमान में वृद्धि अधिशोषण की मात्रा को कम कर देती है।
$4$. दाब में वृद्धि सामान्यतः ठोस सतह पर अधिशोषित गैस की मात्रा को बढ़ाती है।

(A) लकड़ी के कोयले का उपयोग चीनी को रंगहीन करने के लिए किया जाता है क्योंकि इसकी संरचना अत्यधिक छिद्रपूर्ण होती है,जो अधिशोषण के लिए एक बड़ा पृष्ठीय क्षेत्रफल प्रदान करती है।
इसलिए,यह चीनी से रंगीन पदार्थों का अधिशोषण करता है।

(A) वह अधिशोषण जिसमें अधिशोष्य के अणु अधिशोषक की सतह पर वान डर वाल्स बलों या कमजोर भौतिक बलों द्वारा टिके होते हैं,उसे भौतिक अधिशोषण,वान डर वाल्स अधिशोषण या फिज़िसॉर्प्शन कहा जाता है।

(C) एक ठोस अपनी सतह पर मौजूद असंतृप्त संयोजकता के कारण एक अधिशोषक के रूप में कार्य करता है।
ये अवशिष्ट बल या असंतृप्त संयोजकताएं ठोस की सतह पर गैस या तरल के अणुओं को आकर्षित करती हैं और उन्हें बनाए रखती हैं।
सक्रिय चारकोल अपने बड़े सतह क्षेत्र और उपलब्ध असंतृप्त संयोजकता की बड़ी संख्या के कारण एक अच्छे अधिशोषक का सामान्य उदाहरण है।

(B) भौतिक अधिशोषण $(Physisorption)$ की विशेषताएं इस प्रकार हैं:
$1$. यह प्रकृति में विशिष्ट नहीं है।
$2$. यह एक उत्क्रमणीय प्रक्रिया है।
$3$. यह बहुआणविक अधिशोषण परतों के निर्माण में परिणत होता है।
$4$. यह गैस की प्रकृति पर निर्भर करता है; आसानी से द्रवीभूत होने वाली गैसें जल्दी अधिशोषित हो जाती हैं।
$5$. अधिशोषण की एन्थैल्पी कम $(20-40 \ kJ \ mol^{-1})$ होती है।
$6$. कम तापमान अधिशोषण के लिए अनुकूल है,जिसका अर्थ है कि तापमान बढ़ने पर अधिशोषण घटता है।
$7$. सक्रियण ऊर्जा की कोई आवश्यकता नहीं होती है।
$8$. यह सतह के क्षेत्रफल पर निर्भर करता है; इसलिए,छिद्रपूर्ण सतहें अच्छे अधिशोषक होती हैं।
अतः,यह कथन कि भौतिक अधिशोषण अनुत्क्रमणीय है,गलत है।

(B) अधिशोषण एक ऊष्माक्षेपी प्रक्रिया है। ला शातेलिए के सिद्धांत के अनुसार,तापमान कम करने से साम्यावस्था अग्र दिशा में स्थानांतरित हो जाती है,जिससे ठोस सतह पर गैस का अधिशोषण बढ़ जाता है।
दबाव बढ़ाने से गैस के अधिक अणु ठोस सतह के संपर्क में आते हैं,जिससे अधिशोषण की मात्रा बढ़ जाती है।

(D) भौतिक अधिशोषण में,अधिशोषण की एन्थैल्पी बहुत कम होती है क्योंकि सतह पर पदार्थों का संचय $Van \ der \ Waal's$ बलों के कारण होता है,जो प्रकृति में कमजोर होते हैं।

(A) भौतिक अधिशोषण के मामले में अधिशोषण बहुस्तरीय होता है क्योंकि इसमें दुर्बल वाण्डर वाल्स बल कार्य करते हैं।
इसके विपरीत,रासायनिक अधिशोषण एकस्तरीय होता है क्योंकि इसमें अधिशोष्य और अधिशोषक अणुओं के बीच मजबूत रासायनिक बंध का निर्माण होता है।

(A) भौतिक अधिशोषण (physisorption) अधिशोषक और अधिशोष्य के बीच कमजोर वैन डर वाल्स बलों द्वारा अभिलक्षित होता है।
यह उत्क्रमणीय,गैर-विशिष्ट और बहु-परतीय होता है।
चूंकि यह एक ऊष्माक्षेपी प्रक्रिया है,इसलिए तापमान बढ़ने पर यह घटता है।

(D) अधिशोषण की प्रक्रिया में,वह पदार्थ जो किसी अन्य पदार्थ की सतह पर अधिशोषित होता है,उसे $Adsorbate$ (अधिशोष्य) कहा जाता है।
इस मामले में,एसिटिक एसिड वह पदार्थ है जो सक्रियकृत चारकोल की सतह पर जमा होता है।
इसलिए,एसिटिक एसिड $Adsorbate$ है और सक्रियकृत चारकोल $Adsorbent$ है।

(C) किसी ठोस या द्रव के स्थूल (bulk) के बजाय उसकी सतह पर आणविक प्रजातियों के जमा होने की घटना को $Adsorption$ (अधिशोषण) कहा जाता है।

(D) अधिशोषण की मात्रा की एक ऊपरी सीमा होती है क्योंकि यह दबाव,तापमान और अधिशोषक तथा अधिशोष्य की प्रकृति जैसे अन्य कारकों पर भी निर्भर करती है। चूंकि अधिशोषक का पृष्ठीय क्षेत्रफल सीमित होता है,इसलिए अधिशोषण प्रक्रिया एक संतृप्ति बिंदु तक पहुँच जाती है।

(D) फ्रुंडलिच अधिशोषण समतापी का समीकरण है: $\frac{x}{m} = kp^{1/n}$।
दोनों पक्षों का लघुगणक लेने पर,हमें प्राप्त होता है: $\log(x/m) = \log k + \frac{1}{n} \log p$।
इसकी तुलना रैखिक समीकरण $y = mx + c$ से करने पर,जहाँ $y = \log(x/m)$,$x = \log p$,$m = \text{ढाल} = 1/n$,और $c = \text{अंतःखंड} = \log k$ है।
अतः,$\log(x/m)$ बनाम $\log p$ के आलेख का ढाल $1/n$ है।

(A) लैंगमुइर अधिशोषण समतापी का समीकरण $x/m = (aP) / (1 + bP)$ है।
बहुत उच्च दाब पर,$bP$ पद $1$ से बहुत बड़ा हो जाता है,इसलिए समीकरण $x/m = (aP) / (bP) = a/b$ में सरल हो जाता है।
चूंकि $a$ और $b$ स्थिरांक हैं,इसलिए अधिशोषित गैस की मात्रा $(x/m)$ एक स्थिर सीमित मान तक पहुँच जाती है।

(B) रासायनिक अधिशोषण (Chemisorption) में उच्च सक्रियण ऊर्जा (activation energy) शामिल होती है। इसलिए,तापमान बढ़ने के साथ यह पहले बढ़ता है क्योंकि दी गई ऊष्मा सक्रियण ऊर्जा के रूप में कार्य करती है। लेकिन बाद में,साम्यावस्था पर अधिशोषण की ऊष्माक्षेपी प्रकृति के कारण यह घट जाता है। विकल्प $B$ गलत है क्योंकि रासायनिक अधिशोषण आमतौर पर सक्रियण ऊर्जा की आवश्यकताओं के कारण तापमान के साथ शुरू में बढ़ता है।

(A) अधिशोषण की प्रक्रिया में,जिस पदार्थ की सतह पर अधिशोषण होता है उसे $Adsorbent$ (अधिशोषक) कहा जाता है।
इस मामले में,ऑक्सेलिक एसिड वह पदार्थ है जिसका अधिशोषण होता है $(Adsorbate)$,और सक्रियकृत चारकोल वह सतह है जिस पर यह अधिशोषित होता है $(Adsorbent)$।
इसलिए,सही विकल्प $(A)$ है।

(C) अधिशोषण वह घटना है जिसमें कोई पदार्थ दूसरे पदार्थ की सतह पर जमा हो जाता है।
अतः,यह एक पृष्ठीय घटना है।

(C) भौतिक अधिशोषण एक ऊष्माक्षेपी प्रक्रिया है,जिसमें एन्थैल्पी परिवर्तन $(\Delta H)$ ऋणात्मक होता है।
ला शातेलिए के सिद्धांत के अनुसार,ऊष्माक्षेपी प्रक्रिया के लिए तापमान बढ़ाने पर अधिशोषण की मात्रा कम हो जाती है।
इसलिए,भौतिक अधिशोषण कम तापमान पर अधिक सराहनीय होता है।

(B) अधिशोषण एक ऊष्माक्षेपी (exothermic) प्रक्रिया है। ला शातेलिए के सिद्धांत के अनुसार,ऊष्माक्षेपी प्रक्रिया के लिए,तापमान घटने पर अधिशोषण की मात्रा बढ़ जाती है। गणितीय रूप से,यह संबंध $\text{Adsorption} \propto \frac{1}{T}$ द्वारा व्यक्त किया जाता है।

(A) रासायनिक अधिशोषण में,अधिशोष्य और अधिशोषक के बीच एक रासायनिक बंध बनता है। यह प्रक्रिया विशिष्ट होती है और एक-आण्विक परत के निर्माण की ओर ले जाती है। इसलिए,केवल $1$ परत अधिशोषित होती है।

(A) फ्रुंडलिच अधिशोषण समतापी के अनुसार,दबाव बढ़ने के साथ ठोस सतह पर गैस का अधिशोषण निम्नलिखित चरणों का पालन करता है:
$1$. कम दबाव पर,अधिशोषण की मात्रा $(x/m)$ दबाव $(P^1)$ के सीधे आनुपातिक होती है,जो एक तेज प्रक्रिया है।
$2$. मध्यम दबाव पर,यह $P^{1/n}$ के आनुपातिक होती है (जहाँ $n > 1$),जो धीमी दर दर्शाती है।
$3$. उच्च दबाव पर,सतह संतृप्त हो जाती है और अधिशोषण दबाव से स्वतंत्र $(P^0)$ हो जाता है।
अतः,सही क्रम है: तेज $\to$ धीमा $\to$ दबाव से स्वतंत्र।

(D) रसोशोषण एक रासायनिक प्रक्रिया है जिसमें अधिशोष्य और अधिशोषक के बीच रासायनिक बंध बनते हैं।
यह अत्यधिक विशिष्ट,अनुत्क्रमणीय और सामान्यतः धीमी होती है।
भौतिक अधिशोषण के विपरीत,रसोशोषण तापमान पर निर्भर करता है; यह आमतौर पर तापमान बढ़ने के साथ बढ़ता है क्योंकि बंध निर्माण के लिए सक्रियण ऊर्जा की आवश्यकता होती है।
इसलिए,यह कथन कि यह तापमान से स्वतंत्र है,गलत है।

(B) अधिशोषण एक पृष्ठीय घटना है जहाँ सतह के अवशिष्ट बलों में कमी आती है,जिससे ऊर्जा मुक्त होती है। अतः,अधिशोषण हमेशा एक ऊष्माक्षेपी प्रक्रिया है,जिसका अर्थ है कि $\Delta H < 0$।

(C) ठोस सतहों पर गैसों के अधिशोषण को अधिशोषण कहा जाता है।
$Pt$,$Pd$,और $Ni$ जैसी संक्रमण धातुएं अपनी सतह पर हाइड्रोजन गैस का बहुत मजबूती से अधिशोषण करने के लिए जानी जाती हैं।
दिए गए विकल्पों में से,$Platinum \text{ } black$ (सूक्ष्म विभाजित प्लैटिनम) का पृष्ठीय क्षेत्रफल बहुत अधिक होता है और यह हाइड्रोजन गैस को अधिशोषित करने की उच्चतम क्षमता प्रदर्शित करता है,जो इसे हाइड्रोजनीकरण अभिक्रियाओं के लिए एक प्रभावी उत्प्रेरक बनाता है।

(D) फ्रायंडलिच अधिशोषण समतापी का समीकरण $\frac{x}{m} = kP^{1/n}$ है,जहाँ $x$ अधिशोष्य का द्रव्यमान है,$m$ अधिशोषक का द्रव्यमान है,$P$ दबाव है,और $k$ तथा $n$ स्थिरांक हैं।
इस समीकरण से यह स्पष्ट है कि अधिशोषण की मात्रा $\frac{x}{m}$,$P^{1/n}$ के समानुपाती होती है।

(B) भौतिक अधिशोषण एक ऊष्माक्षेपी प्रक्रिया है। ला-शातेलिए के सिद्धांत के अनुसार,ऊष्माक्षेपी प्रक्रिया के लिए तापमान में वृद्धि करने से विपरीत प्रक्रिया (विशोषण) को बढ़ावा मिलता है। इसलिए,तापमान बढ़ने पर भौतिक अधिशोषण घटता है।
किसी प्रक्रिया के स्वतःप्रवर्तित होने के लिए गिब्स मुक्त ऊर्जा परिवर्तन $\Delta G$ ऋणात्मक होना चाहिए। चूंकि $\Delta G = \Delta H - T\Delta S$ होता है,और अधिशोषण में एन्ट्रॉपी में कमी $(\Delta S < 0)$ होती है,इसलिए प्रक्रिया तभी स्वतःप्रवर्तित हो सकती है जब $\Delta H$ ऋणात्मक (ऊष्माक्षेपी) हो और तापमान $T$ इतना कम हो कि $|\Delta H| > |T\Delta S|$ हो।

(C) केमिसॉर्प्शन में रासायनिक बंधों के निर्माण जैसी प्रक्रियाएं शामिल होती हैं,जिससे एक यूनीमॉलिक्यूलर (एक-आणविक) परत बनती है।
इसके विपरीत,फिजीसॉर्प्शन में कमजोर वैन डेर वाल्स बल शामिल होते हैं,जिससे बहु-आणविक परत बन सकती है।
इसलिए,यह कथन कि केमिसॉर्प्शन एक बहु-आणविक परत हो सकता है,गलत है।

(A) मजबूत रासायनिक बंध के कारण होने वाले अधिशोषण को रासायनिक अधिशोषण या $ \text{Chemisorption} $ कहा जाता है।
इस प्रक्रिया में,अधिशोष्य के अणु मजबूत रासायनिक बंधों द्वारा अधिशोषक की सतह पर जुड़े रहते हैं।

(A) जब $AgNO_3$ के विलयन में $KI$ मिलाया जाता है,तो $AgI$ के कोलाइडल कण परिक्षेपण माध्यम से $Ag^{+}$ आयनों का अधिशोषण करते हैं,जिसके परिणामस्वरूप धनात्मक आवेशित सोल बनता है।
अतः,धनात्मक आवेश $Ag^{+}$ आयनों के अधिशोषण के कारण होता है।

(C) भौतिक अधिशोषण एक ऊष्माक्षेपी प्रक्रिया है। ला शातेलिए के सिद्धांत के अनुसार,तापमान में वृद्धि करने पर साम्यावस्था पीछे की ओर विस्थापित हो जाती है,जिससे अधिशोषण की मात्रा कम हो जाती है। अतः,भौतिक अधिशोषण $Temperature$ (तापमान) के व्युत्क्रमानुपाती होता है।

(C) ऑक्सेलिक एसिड के प्रारंभिक मोल $= M_1 \times V = 1 \ M \times 0.05 \ L = 0.05 \ mol$.
ऑक्सेलिक एसिड के अंतिम मोल $= M_2 \times V = 0.5 \ M \times 0.05 \ L = 0.025 \ mol$.
अधिशोषित ऑक्सेलिक एसिड के मोल $= 0.05 - 0.025 = 0.025 \ mol$.
ऑक्सेलिक एसिड $(H_2C_2O_4 \cdot 2H_2O)$ का आणविक द्रव्यमान $126 \ g/mol$ है।
$0.5 \ g$ कोयले द्वारा अधिशोषित ऑक्सेलिक एसिड का द्रव्यमान $= 0.025 \ mol \times 126 \ g/mol = 3.15 \ g$.
अतः,प्रति $g$ कोयले पर अधिशोषित ऑक्सेलिक एसिड की मात्रा $= \frac{3.15 \ g}{0.5 \ g} = 6.30 \ g/g$.

(D) उत्कृष्ट गैसें सक्रिय नारियल के चारकोल द्वारा अधिशोषित होती हैं।
विभिन्न उत्कृष्ट गैसों का अधिशोषण अलग-अलग तापमान पर होता है,इसलिए इन गैसों को अलग करने के लिए चारकोल का उपयोग किया जाता है।
हीलियम चारकोल द्वारा अधिशोषित नहीं होती है (क्योंकि यह बहुत कठिनाई से द्रवित होने वाली गैस है)।

(B) एनिमल चारकोल एक अच्छा अधिशोषक है।
यह अपनी सतह पर अशुद्धियों को अधिशोषित करके द्रवों से रंग हटा देता है,जिससे द्रव रंगहीन हो जाता है।

(A) सही उत्तर $(A)$ है।
चूंकि भौतिक अधिशोषण एक ऊष्माक्षेपी प्रक्रिया है (जिसमें ऊष्मा का उत्सर्जन होता है),इसलिए ला शातेलिए के सिद्धांत के अनुसार,तापमान बढ़ने पर भौतिक अधिशोषण की मात्रा घट जाती है।
रासायनिक अधिशोषण के मामले में,तापमान बढ़ने पर अधिशोषण पहले बढ़ता है और फिर घटता है।

(C) सही उत्तर $(C)$ है।
एनिमल चारकोल एक अधिशोषक (adsorbent) के रूप में कार्य करता है।
जब इसे एसिटिक एसिड के घोल में मिलाया जाता है,तो एसिटिक एसिड के अणु चारकोल की सतह पर अधिशोषित हो जाते हैं।
इस अधिशोषण के कारण,घोल में एसिटिक एसिड के अणुओं की संख्या कम हो जाती है,जिससे घोल की सांद्रता में कमी आती है।

(D) फ्रुंडलिच अधिशोषण समतापी को सामान्यतः $\frac{x}{m} = k{p^{1/n}}$ के रूप में व्यक्त किया जाता है,जहाँ $x$ अधिशोष्य का द्रव्यमान है,$m$ अधिशोषक का द्रव्यमान है,$p$ दाब है,और $k$ तथा $n$ स्थिरांक हैं।
इसे पुनर्व्यवस्थित करने पर,हमें $x = m \cdot k{p^{1/n}}$ प्राप्त होता है।
यद्यपि मानक रूप $\frac{x}{m} = k{p^{1/n}}$ है,अन्य अभिव्यक्तियाँ भी उसी संबंध का गणितीय रूप से समतुल्य निरूपण हैं।
अतः,ये सभी समीकरण फ्रुंडलिच अधिशोषण समतापी का प्रतिनिधित्व करते हैं।

(D) ठोस पर गैस के अधिशोषण की सीमा कई कारकों पर निर्भर करती है:
$1$. गैस की प्रकृति (अधिशोष्य): आसानी से द्रवीभूत होने वाली गैसें उन गैसों की तुलना में अधिक आसानी से अधिशोषित होती हैं जो आसानी से द्रवीभूत नहीं होती हैं।
$2$. गैस का दबाव: दबाव बढ़ने के साथ,अधिशोषण की सीमा बढ़ जाती है।
$3$. गैस का तापमान: तापमान में वृद्धि से अधिशोषण की सीमा कम हो जाती है क्योंकि अधिशोषण एक ऊष्माक्षेपी प्रक्रिया है।
$4$. अधिशोषक की प्रकृति और सतह का क्षेत्रफल: अधिशोषक की सतह का क्षेत्रफल जितना अधिक होगा,अधिशोषण की सीमा उतनी ही अधिक होगी।
चूंकि दिए गए सभी विकल्प ($A$,$B$,और $C$) अधिशोषण की सीमा को प्रभावित करते हैं,इसलिए सही विकल्प $D$ है।

(D) $($ $d$ $)$ यह देखा गया है कि एक ठोस (या तरल) की सतह में अन्य अमिश्रणीय चरण के अणुओं को आकर्षित करने और बनाए रखने की प्रवृत्ति होती है जिसके साथ इसे संपर्क में लाया जाता है।
ये अणु केवल सतह पर रहते हैं और थोक (bulk) में गहराई तक नहीं जाते हैं।
ठोस (या तरल) के थोक की तुलना में सतह पर आणविक प्रजातियों के संचय की इस प्रवृत्ति को अधिशोषण कहा जाता है।

(B) फ्रुंडलिच अधिशोषण समतापी को अनुभवजन्य संबंध द्वारा दिया जाता है: $\frac{x}{m} = K P^{1/n}$,जहाँ $x$ अधिशोष्य का द्रव्यमान है,$m$ अधिशोषक का द्रव्यमान है,$P$ दाब है,और $K$ तथा $n$ एक निश्चित तापमान पर अधिशोषक और अधिशोष्य की प्रकृति पर निर्भर करने वाले स्थिरांक हैं। दोनों तरफ लघुगणक लेने पर,हमें प्राप्त होता है: $\log \frac{x}{m} = \log K + \frac{1}{n} \log P$। दिए गए विकल्पों में से,विकल्प $B$ फ्रुंडलिच अधिशोषण समतापी के मानक रूप को दर्शाता है।

(C) भौतिक अधिशोषण एक ऐसी प्रक्रिया है जिसमें अधिशोष्य के कण भौतिक बलों (वांडर वाल्स बलों) द्वारा अधिशोषक की सतह पर जुड़े होते हैं।
चूंकि ये बल कमजोर होते हैं,इसलिए भौतिक अधिशोषण के लिए किसी महत्वपूर्ण सक्रियण ऊर्जा की आवश्यकता नहीं होती है,जो कि रासायनिक अधिशोषण से भिन्न है।

(B) सक्रियकृत चारकोल जैसे ठोस अधिशोषक पर गैस के अधिशोषण की मात्रा गैस के द्रवीकरण की सुगमता पर निर्भर करती है।
आसानी से द्रवीभूत होने वाली गैसों का अधिशोषण अधिक होता है।
दिए गए विकल्पों में से,$N_2, H_2$ और $O_2$ की तुलना में $SO_2$ गैस आसानी से द्रवीभूत हो जाती है।
इसलिए,$SO_2$ सक्रियकृत चारकोल द्वारा आसानी से अधिशोषित हो जाती है।