તાપમાન વધવાની સાથે અર્ધવાહકની અવરોધકતા શા માટે ઘટે છે?

Vedclass pdf generator app on play store
Vedclass iOS app on app store
(N/A) અર્ધવાહકની અવરોધકતા $\rho = \frac{m}{n e^2 \tau}$ સંબંધ દ્વારા આપવામાં આવે છે,જ્યાં $m$ એ ઇલેક્ટ્રોનનું દળ છે,$n$ એ વિદ્યુતભાર વાહકોની સંખ્યા ઘનતા છે,$e$ એ ઇલેક્ટ્રોનનો વિદ્યુતભાર છે અને $\tau$ એ રિલેક્સેશન સમય છે.
અર્ધવાહકોમાં,જેમ જેમ તાપમાન વધે છે,તેમ સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોનને મળતી ઉષ્મીય ઉર્જા વધે છે.
આના કારણે મોટી સંખ્યામાં ઇલેક્ટ્રોન સંયોજકતા બેન્ડમાંથી વહન બેન્ડમાં કૂદકો મારે છે,જેના પરિણામે વિદ્યુતભાર વાહક ઘનતા $(n)$ માં નોંધપાત્ર વધારો થાય છે.
જોકે વધેલા અથડામણોને કારણે રિલેક્સેશન સમય $(\tau)$ થોડો ઘટે છે,પરંતુ સંખ્યા ઘનતા $(n)$ માં થતો વધારો ઘાતાંકીય છે અને તે અસર પર પ્રભુત્વ ધરાવે છે.
કારણ કે $\rho \propto \frac{1}{n}$,તેથી $n$ માં થતો નોંધપાત્ર વધારો અર્ધવાહકની અવરોધકતા $(\rho)$ માં ચોખ્ખો ઘટાડો લાવે છે.

Explore More

Similar Questions

આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરનું સ્ફટિકીય બંધારણ શું છે?

$0.7 \ eV$ ના બેન્ડ ગેપ ધરાવતા પદાર્થમાં ઇલેક્ટ્રોન-હોલ જોડી બનાવવા માટે જરૂરી વિદ્યુતચુંબકીય વિકિરણની મહત્તમ તરંગલંબાઇ કેટલી હશે? (પ્લાન્કનો અચળાંક $h = 4.136 \times 10^{-15} \ eV \cdot s$,પ્રકાશનો વેગ $c = 3 \times 10^8 \ m/s$).

$C$ અને $Si$ બંને સમાન લેટીસ બંધારણ ધરાવે છે; દરેક માં $4$ બંધન ઇલેક્ટ્રોન હોય છે. જોકે,$C$ એ અવાહક છે જ્યારે $Si$ એ શુદ્ધ અર્ધવાહક છે. આનું કારણ એ છે કે:

સિલિકોનનો એનર્જી ગેપ $1.14 \ eV$ છે. જે મહત્તમ તરંગલંબાઈ પર સિલિકોન ઉર્જાનું શોષણ કરવાનું શરૂ કરશે તે છે

વાહકમાં એનર્જી બેન્ડ ગેપ (કન્ડક્શન બેન્ડ અને વેલેન્સ બેન્ડ વચ્ચેનું અંતર) કેટલું હોય છે?

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo