સિલિકોનનો એનર્જી ગેપ 1.14 eV છે. જે મહત્તમ ત | vedclass

Name: Exam Paper Generator | JEE NEET Paper Generator | Vedclass
Brand: Vedclass
Rating: 5 (35 reviews)

Question

(A) એનર્જી ગેપ $E_g$ ને પાર કરવા માટે જરૂરી ફોટોનની ઉર્જા $E_g = \frac{hc}{\lambda}$ દ્વારા આપવામાં આવે છે.અહીં $E_g = 1.14 \ eV$ આપેલ છે.સંબંધ $\lamb

Vedclass · Accepted Answer

$10888 \ \mathring{A}$

Vedclass · Answer

(A) એનર્જી ગેપ $E_g$ ને પાર કરવા માટે જરૂરી ફોટોનની ઉર્જા $E_g = \frac{hc}{\lambda}$ દ્વારા આપવામાં આવે છે.અહીં $E_g = 1.14 \ eV$ આપેલ છે.સંબંધ $\lambda = \frac{12400 \ \mathring{A} \cdot eV}{E_g \ (eV)}$ નો ઉપયોગ કરતા:$\lambda = \frac{12400}{1.14} \ \mathring{A}$.$\lambda \approx 10877.19 \ \mathring{A}$.આપેલા વિકલ્પો મુજબ નજીકની કિંમત $10888 \ \mathring{A}$ છે.

સિલિકોનનો એનર્જી ગેપ $1.14 \ eV$ છે. જે મહત્તમ તરંગલંબાઈ પર સિલિકોન ઉર્જાનું શોષણ કરવાનું શરૂ કરશે તે છે

Similar Questions

અર્ધવાહકમાં હોલ (holes) કેવી રીતે ઉત્પન્ન થાય છે?

$GaAs$ (ગેલિયમ આર્સેનાઇડ) એ ....... છે.

એક સેમિકન્ડક્ટરને $T_1 \ K$ થી $T_2 \ K$ સુધી ઠંડું પાડવામાં આવે છે. તેનો અવરોધ:

કોપરની પટ્ટી અને જર્મેનિયમની પટ્ટીને ઓરડાના તાપમાનેથી $80 \ K$ સુધી ઠંડી પાડવામાં આવે છે. તો અવરોધ:

અર્ધવાહક પદાર્થમાં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની મોબિલિટી અનુક્રમે $\mu_e$ અને $\mu_h$ છે. નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

Vedclass Test Series

Exam Paper Generator

Online Exam Module