અસરકારક કેન્દ્રીય વીજભાર $(Z_{eff})$ માટે નીચેનામાંથી કયું વિધાન સૌથી વધુ યોગ્ય છે? તે શેના પર આધાર રાખે છે?

$d$-ઇલેક્ટ્રોનની સ્ક્રીનિંગ અસર (શીલ્ડિંગ અસર) કેવી હોય છે?

એક કક્ષાની $s, p, d,$ અને $f$ પેટાકોષોને તેમાં રહેલા ઇલેક્ટ્રોન દ્વારા અનુભવાતા અસરકારક કેન્દ્રીય વીજભાર $(Z_{eff})$ ના વધતા ક્રમમાં ગોઠવો.

બ્રોમિન પરમાણુમાં $35$ ઇલેક્ટ્રોન હોય છે. તેમાં $2p$ કક્ષકમાં $6$ ઇલેક્ટ્રોન,$3p$ કક્ષકમાં $6$ ઇલેક્ટ્રોન અને $4p$ કક્ષકમાં $5$ ઇલેક્ટ્રોન હોય છે. આમાંથી કયા ઇલેક્ટ્રોન સૌથી ઓછો અસરકારક કેન્દ્રીય વીજભાર અનુભવે છે?

નીચેના કક્ષકોની જોડીઓમાંથી કઈ કક્ષક વધુ અસરકારક કેન્દ્રીય વીજભાર અનુભવશે?
$(i)$ $2s$ અને $3s$
$(ii)$ $4d$ અને $4f$
$(iii)$ $3d$ અને $3p$

શીલ્ડિંગ અસર (shielding effect) ઉદાહરણ સાથે સમજાવો. તેમજ સમૂહ અને આવર્તમાં $2s-2p$ અભિગમ સમજાવો.