निम्नलिखित में से कौन सा कथन गलत है?

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Question

(C) $1$. तापमान बढ़ने पर आंतरिक अर्धचालकों का प्रतिरोध कम हो जाता है क्योंकि तापीय ऊर्जा बढ़ने से अधिक आवेश वाहक उत्पन्न होते हैं।$2$. शुद्ध $Si$ (समू

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$n$-प्रकार के अर्धचालकों में बहुसंख्यक वाहक (majority carriers) होल होते हैं।

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(C) $1$. तापमान बढ़ने पर आंतरिक अर्धचालकों का प्रतिरोध कम हो जाता है क्योंकि तापीय ऊर्जा बढ़ने से अधिक आवेश वाहक उत्पन्न होते हैं।$2$. शुद्ध $Si$ (समूह $14$) में त्रिसंयोजक अशुद्धियाँ (समूह $13$) मिलाने से इलेक्ट्रॉनों की कमी हो जाती है,जिससे $p$-प्रकार के अर्धचालक बनते हैं।$3$. $n$-प्रकार के अर्धचालकों में बहुसंख्यक आवेश वाहक इलेक्ट्रॉन होते हैं,होल नहीं,क्योंकि पंचसंयोजक अशुद्धि (समूह $15$) अतिरिक्त इलेक्ट्रॉन प्रदान करती है।$4$. $p-n$ जंक्शन डायोड और ट्रांजिस्टर जैसे कई अर्धचालक उपकरणों की मूलभूत इकाई है।अतः,यह कथन कि $n$-प्रकार के अर्धचालकों में बहुसंख्यक वाहक होल होते हैं,गलत है।

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$N$-प्रकार के अर्धचालक बनाने के लिए $Si$ में कौन सी अशुद्धि मिलाई जाती है?

यदि $n_e$ और $n_h$ एक बाह्य (extrinsic) अर्धचालक में इलेक्ट्रॉन और होल की सांद्रता हैं और $n_i$ आंतरिक (intrinsic) वाहक सांद्रता है,तो:

नैज (intrinsic) अर्धचालक में कुल धारा का सूत्र लिखिए।

$p$-प्रकार के अर्धचालक (semiconductor) में,निम्नलिखित में से कौन सा कथन सत्य है?

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