$N$-प्रकार के जर्मेनियम में इलेक्ट्रॉन गतिशीलता (mobility) $3900 \ cm^2/V \cdot s$ है और इसकी चालकता $6.24 \ mho/cm$ है। यदि होल्स का प्रभाव नगण्य है,तो अशुद्धि सांद्रता (impurity concentration) क्या होगी?
- A$10^{15} \ cm^{-3}$
- B$10^{13} \ cm^{-3}$
- C$10^{12} \ cm^{-3}$
- D$10^{16} \ cm^{-3}$
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कथन-$I$: सिलिकॉन अर्धचालक को पंचसंयोजी (pentavalent) पदार्थ के साथ डोप करने पर,इलेक्ट्रॉन घनत्व बढ़ जाता है।
कथन-$II$: $n$-प्रकार के अर्धचालक पर नेट ऋणात्मक आवेश होता है।
उपर्युक्त कथनों के आलोक में,नीचे दिए गए विकल्पों में से सबसे उपयुक्त उत्तर चुनें:
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ट्रांजिस्टर एक ........... है।
एक अर्धचालक को विद्युत क्षेत्र में रखा जाता है। मान लीजिए कि आवेश वाहकों का संख्या घनत्व $n$ है और औसत अपवाह वेग (drift velocity) $v$ है। यदि तापमान बढ़ाया जाता है,तो:
Medium
View Solutionजर्मेनियम छड़ की लंबाई $0.928 \ cm$ है और इसके अनुप्रस्थ काट का क्षेत्रफल $1 \ mm^2$ है। यदि जर्मेनियम के लिए $n_i = 2.5 \times 10^{19} \ m^{-3}$,$\mu_h = 0.15 \ m^2 V^{-1} s^{-1}$,और $\mu_e = 0.35 \ m^2 V^{-1} s^{-1}$ है,तो प्रतिरोधकता क्या होगी?
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